金属化和多层互连.pptxVIP

金属化与多层互连;金属化及其要求 Al在IC中的应用 Cu及低K介质的应用 多晶硅及金属硅化物 多层布线技术;金属化及其要求;金属化:金属及其他导电材料在IC中的应用。 金属材料的三大应用： （1）栅极材料——作为器件组成部分 （2）接触材料——与半导体材料接触，半 导体与外界的连接桥梁 （3）互连材料——连接各器件，形成电路;;金属化对材料的要求;欧姆接触 金属化层和硅衬底的接触，既可以形成 整流接触，也可以形成欧姆接触，主要 取决于金属和半导体功函数的相对大小 ;特征电阻 Rc; 当金属与半导体之间的载流子输运以隧道 穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及 金－半接触的势垒高度qVb 有下面的关系 qVb在数值上等于金属费米能级上的电子 进入半导体所需的能量。 结论：要获得低接触电阻的金－半接触， 必须减小金－半接触的势垒高度及提高半 导体的掺杂浓度 ;形成欧姆接触的方式;金属化材料;Al在IC中的应用;Al在IC中的应用;铝的基本资料;Al金属化存在的问题： （1）大电流密度下，有显著的电迁移现象 （2）高温下，Al和Si、SiO2会发生反应，产生“尖锲”现象。 ;（1）电迁移 Al为多晶材料，包含很多单晶态晶粒。 大电流密度下，Al原子沿电流方向的定向迁移，多沿晶粒边界。 电迁移造成短路或断路，造成器件失效，影响IC可信度。 ;（1）电迁移 平均失效时间MTF：50%互连线失效的时间 式中 A 金属条横截面积 (cm2) J 电流密度 (A/cm2) ? 金属离子激活能 (ev) k 玻尔兹曼常数 T 绝对温度 C 与金属条形状、结构有关的常数 ;电迁移改善方法： （1）竹状结构：晶粒边界垂直于电流方向。 （2）Al-Cu， Al-Si-Cu合金： 少量Cu的加入可以显著改善抗电迁移 性能 (3) 三明治结构:两层铝膜之间夹一层过度金属层,400度退火1小时,在铝膜之间形成金属化合物。 ;(2) Al的“尖锲”现象;;Al/Si接触的改善;Al/Si接触的改善;铜及低K介质;金属化及多层布线的发展： 电路特征尺寸不断缩小 芯片引线数急剧增加 芯片内部连线长度迅速上升 金属布线层数不断增??? 互连引线的延迟时间增加 ;Intel 奔腾 III Merced （1999） 6层金属互连，0.18μm工艺，集成晶体管数 2500万个，连线总长度达5km 估计0.07 μm工艺，一个微处理器需10层金属互连，连线总长度达10km ;铜及低K介质;铜及低K介质;铜及低K介质;深亚微米技术的发展： 90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆 铜及低K介质 系统集成（SOC） 其中涉及到大量相关工艺和技术的应用，应变硅，绝缘硅，仅有5个原子层厚、1.2nm氧化物栅极，“睡眠晶体管”技术等等。 ;铜及低K介质;;铜及低K介质;铜及低K介质;;铜及低K介质;铜及低K介质;;铜及低K介质;多晶硅及金属硅化物;多晶硅及金属硅化物;;自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向效应引起的覆盖电容，提高工作频率。 多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.2-1.4V左右。 开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间缩短，从而也可提高工作频率。 开启电压VTX降低，整个电源电压和时钟脉冲电压都可以降低，因而降低了IC功耗，提高集成度。 ;多晶硅及金属硅化物;金属硅化物 金属硅化物的电阻率比多晶硅低得多（约十分之一） 高温稳定性好 抗电迁移能力强 可在多晶硅上直接沉积难熔金属制备，与现有硅栅工艺兼容 TiSi2, WSi2, MoSi2和 CoSi2等适合作栅和互连材料；PtSi和PdSi2则主要用于作欧姆接触材料。 ;制备方法：共蒸发、共溅射、合金靶溅射，CVD等。 TiSi2 和 CoSi2的自对准工艺： 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 Ti 或 Co 沉积 退火形成金属硅化物 Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接触处形成 去除Ti 或 Co 选择性再次退火以增强电导率;多晶硅/硅化物复合栅结构;多层布线技术;多层布线技术;Intel 奔腾 III Merced （1999） 6层金属互连，0.18μm工艺，集成晶体管数 2500万个，连线总长度达5km 估计0.07 μm工艺，一个微处理器需10层金属互连，连线总长度达10km ;多层布