基于纳米结构的类太阳光谱白光LED基础研究.ppt

* 针对关键科学问题之二强极性量子阱和量子点结合纳米结构中的载流子输运和复合规律 主要研究内容 纳米结构中的载流子输运特性（注入效率） 纳米结构中的载流子复合规律 纳米结构界面对载流子俘获的影响规律（内量子效率） * n-GaN 蓝宝石衬底 p-GaN 有源区 载流子输运 载流子复合 纳结构界面 强极性量子阱和量子点结合纳米结构中的载流子输运和复合规律 * n-GaN 蓝宝石衬底 p-GaN 有源区 对全方向光子输出效率的调控 对多波长光子输出效率的调控 使输出光满足类太阳光谱分布 针对关键科学问题之三纳米结构中的全方向多波长可见光光子传输及其调控 * 在类太阳光谱白光LED制备方面获得若干具有自主知识产权和实用化价值的技术 InGaN量子点的外延制备方法 全方向多波长光子调控纳米结构设计 LED表面纳米结构的制备方法 纳米结构异质衬底的制备方法 预期研究目标 解决新一代类太阳光谱白光LED材料制备中存在的纳米领域的关键基础科学问题 培养从事相关领域研究的博士40名以上 获得一批类太阳光谱白光LED芯片，使其发光光谱覆盖整个可见光区域、显色指数大于90、内量子效率大于30%、光提取效率大于75% 发表SCI收录论文150篇以上，申请发明专利40项以上 基础科学研究层次 关键自主技术层次 新型器件结构层次 成果发表层次 人才培养层次 总体研究方案、课题设置 * 总体技术路线 构建量子阱与量子点相结合的有源区 探究纳米结构中载流子输运和复合机理，提高LED内量子效率 设计与制备全方向多波长光子传输纳米结构，提高LED光提取效率 以实现高照明品质和高能效的类太阳光谱白光LED为目标 n-GaN 蓝宝石衬底 p-GaN 有源区 * GaN 衬底 GaN 衬底 GaN 衬底 InGaN 量子点 衬底 掩膜 GaN InGaN 量子点 图形掩膜 → 选择性二次外延 利用应力调控In组分相分离实现自组织量子点生长 采用应力诱导的三维岛状量子点生长方法 发光波长可覆盖类太阳光谱的纳米结构外延生长技术路线 外延过程中在图形化表面影响原子的迁移 Sapphire substrate N-GaN InGaN underlying layer 4×InGaN/GaN MQWs P-GaN 下方InGaN层调控量子阱应力，使量子阱中的In相分离加剧 * 面向高内量子效率的载流子输运和复合特性表征技术路线 InGaN/GaN纳米结构参数信息 InGaN/GaN纳米结构中载流子输运和复合的物理过程 确立纳米结构参数与其电学、光学特性之间关系 X射线衍射、原子力显微镜、透射电镜、扫描电镜、拉曼光谱 瞬态光致荧光、变温光致荧光、微区光致荧光、电致荧光、阴极荧光、近场光学显微镜 * n-GaN 蓝宝石衬底 p-GaN 有源区 对全方向多波长光子透射增强的表面纳米结构 对全方向多波长光子反射增强的纳米结构异质衬底 面向高光提取效率的全方向多波长光子传输纳米结构设计与制备技术路线 * 纳米压印技术 通过干法刻蚀、湿法腐蚀制备大面积、高均匀性的纳米结构 纳米结构图形产生 面向高光提取效率的全方向多波长光子传输纳米结构设计与制备技术路线 激光干涉技术 纳米结构图形转移 * 本项目的主要创新方向 从人类对照明品质的需求出发，基于纳米结构实现下一代高照明品质和高能效的类太阳光谱白光LED ，创造性地将纳米科学和色度学结合起来 MOCVD与MBE技术相结合，为纳米结构的生长调控、界面修饰等增添新的手段 针对类太阳光谱发光，将纳米结构的全方向光调控功能向多波长范围拓展 * 白光LED发光光谱图 可行性分析 方案中的相关纳米结构生长技术以及加工技术成熟，MOCVD和MBE技术已被证明是制备量子点材料的理想选择，纳米压印、干涉曝光、干法刻蚀、湿法腐蚀等技术也已经广泛用于微纳图形的制作和转移 本项目充分考虑氮化物半导体材料特点和纳米结构特殊作用，并且已经初步实现了基于InGaN量子点的单芯片白光LED 原理上完全可行 技术上完全可行 * 共设置4个课题展开研究 课题一 课题二 课题三 课题四 * 课题1 大失配材料体系InGaN/GaN纳米结构生长动力学 高照明品质和高能效类太阳光谱白光LED 课题2 InGaN/GaN纳米结构中的载流子输运和复合动力学 课题3 LED出光面纳米结构对光子透射及自发辐射增强效应的机理研究 课题4 光子反射纳米结构异质衬底及其材料外延研究 科学问题2 强极性量子阱和量子 点结合纳米结构中的 载流子输运和复合规律 科学问题1 大失配宽禁带 材料体系中的 纳米结构构建 科学问题3 纳米结构中的全方 向多波长可见光光 子传输及其调控 课题设置思路 研究队伍总体情况、推荐项目首席科学家/项目负责人和主要骨干