扩散课工艺培培训课件.docx

扩散课工艺培训 培训内容 ?扩散部设备介绍 ?氧化工艺介绍 ?扩散工艺介绍 ?合金工艺介绍 ?氧化层电荷介绍 ?LPCVD工艺介绍 扩散部设备介绍 卧式炉管 立式炉管 炉管工艺和应用(加) 氧化工艺-1 ?氧化膜的作用 ?选择扩散和选择注入。 阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。 氧化工艺-2 ?氧化膜的作用 ?缓冲介质层 二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损伤 氧化工艺-3 ?氧化膜的作用 器件结构的一部分：如栅（Gate）氧化层，非常关键的项目，质量要求非常高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大影响 氧化工艺-4 氧化膜的作用 ?隔离介质：工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。 氧化工艺-5 ?氧化方法 ?干氧氧化 SI+O2 == SIO2 结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢，一般用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。 ?水汽氧化 2H2O+SI == SIO2+2H2 生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较多缺陷。 对光刻胶的粘附性较差。 氧化工艺-6 ?氧化方法 ?湿氧氧化（反应气体：O2 +H2O） H2O+SI == SIO2+2H2 SI+O2 == SI