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- 2020-03-23 发布于广东
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* 刘志勇 * 温度对扩散系数的影响 温度升高,扩散原子获得能量超越势垒几率增大且空位浓度增大,有利扩散 生产上各种受扩散控制的过程,如扩散型相变、晶粒长大,化学热处理首先要考虑温度的影响 * 刘志勇 * 2 晶体缺陷对扩散的影响 沿面缺陷的扩散(界面、晶界):原子规则排列受破坏,产生畸变,能量高,所需扩散激活能低 原子沿点缺陷、线缺陷(位错)和面缺陷(晶界和自由表面等)的扩散速率远比沿晶内的体扩散速率大,通常把沿这些缺陷所进行的扩散称为“短路扩散” * 刘志勇 * 沿面缺陷的扩散 在晶界和自由表面附近,点阵畸变严重,空位密度和空位的迁移率均比晶内高,因此面缺陷处扩散激活能较低,借助空位扩散机制的扩散容易进行 双晶体中的扩散 箭头为扩散方向,线条为等浓度线 设想在垂直于双晶体晶界的外表面上镀一层扩散物质M(或同位素示踪原子),使其扩散,发现物质M扩散到晶格去的深度要比扩散到晶界和外表面的小得多 * 刘志勇 * 实验发现,钍在钨丝中的晶界扩散系数DB和体扩散系数DL分别为 晶体缺陷对扩散的影响 可知DBDL,而且钍在晶界上的扩散激活能也比在晶格中的小得多 在温度降低时,DB比DL减小得慢一些,晶界扩散的贡献就显得更加重要 DB=0.74exp[-900000/(RT) ] DL=1.0exp[-120000/(RT) ] (19) (20) * 刘志勇 * 多晶银(直
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