数电-09-10半导体存储器和可编程器件.pptVIP

9-10 半导体存储器和可编程逻辑器件;几个基本概念：;;二、存储器的分类：;3、按存、取功能分类;9.2 随机存取存储器RAM（P292）（读写存储器）;SRAM（静态）：存取速度快 DRAM（动态）：结构简单、集成度高 NVRAM（非易失性）;1、RAM存储器的基本结构; 存储单元是存储器的最基本存储细胞，能存放一位二值数据。由于存储器的容量巨大，一般都把存储单元排列成矩阵形式。采用双译码（行、列译码），用两条地址线来共同选择存储单元。;2、RAM的存储单元; 显然，只有X,Y选择线都是高电平，内部输入、输出才和外部数据线连接，也就是该存储单元被选中。; 1、利用锁存器或触发器保存数据，所以数据是非破坏性读出，一次写入，可以反复读出，对存储的数据没有反作用。;(2)动态存储单元(DRAM); 因此，每次读出后必须及时给电容再次充电，维护其内容。此外，C上电荷也不能长时间维持，所以还必须定时对电容充电，称为再生或刷新。; X,Y选中该单元，控制管开通。数据从DI输入，经写入刷新控制电路，对电容充、放电。; 只选通行选择线X, 并令R/W=1;;(3)单管存储单元; 5位行地址码决定32条行选择线；3位列地址码决定8条列选择线；每4列存储单元连接在相同的列地址译码线上，组成一个字列。每行可存储8个字，每个字列存储32个字，共有