半导体项目二　OTL功率放大器的分析与制作.pptVIP

三、放大电路的动态分析方法 图2-13　交流通路 图2-14　不考虑信号源内阻的微变等效电路(=∥) 三、放大电路的动态分析方法 3.共射极放大电路基本动态参数的估算 (1) 电压放大倍数1) 求有载电压放大倍数Au。 2) 求空载电压放大倍数A 三、放大电路的动态分析方法 (2) 输入电阻ri (3) 输出电阻ro　在图2-14中，根据戴维南定理计算等效电阻，us=0，则ib=0，从而受控源βib=0，因此可直接得出： (4) 源电压放大倍数　图2-15a所示为考虑信号源内阻时的微变等效电路，可以得出 三、放大电路的动态分析方法 图2-15　微变等效电路a) 考虑信号源内阻时的微变等效电路　b) 不接电容时的微变等效电路 三、放大电路的动态分析方法 表2-2　三种组态的性能比较 三、放大电路的动态分析方法 表2-2　三种组态的性能比较 一、静态工作点对输出波形失真的影响  波形失真是指输出波形不能很好地重现输入波形的形状，即输出波形相对于输入波形发生了变形。对一个放大电路来说，要求输出波形的失真尽可能小。 如图2-16所示，若Q点在直流负载线上的位置过高，例如QA处，信号正半周的一部分进入 饱和区，造成输出电流波 形正半周和相应电压波形 负半周被部分削除，产生 “饱和失真”。反之，若静 态工作点在直流负载线上 的位置过低 图2-16　静态工作点对输出波形的影响 二、确定静态工作点的基本原则  对于一个放大电路，合理安排静态工作点至关重要，而且在动态运用时，工作点的移动不能超出放大区，这样才能保证放大电路不产生明显的非线性失真。通常情况下，为了使输出幅值较大，同时又不失真，静态工作点应选在直流负载线的中点；对于小信号的放大电路，失真可能性较小，为了减小损耗和噪声，工作点可适当选低一些。 三、静态工作点稳定的放大电路 1.分压偏置式放大电路组成 图2?17所示的分压偏置式放大电路具有自动稳定静态工作点的作用。与简单偏置放大电路(也称固定偏置放大电路)相比，多用了Rb2、Re和Ce三个元件。Rb1、Rb2分别称为上偏置电阻和下偏置电阻，Re、Ce分别称为发射极电阻和发射极旁路电容。 图2-17　分压偏置式放大电路a) 电路图　b) 直流通路 一、晶体管的结构及类型 半导体晶体管有两大类型，一是双极型晶体管，二是单极型场效应晶体管。本知识链接讨论双极型晶体管，通常用BJT 表示，以下简称晶体管。　　按PN结的组合方式，晶体管有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和电气符号分别如图2-2a、b所示。不管是什么样的晶体管，它们均包含三个区：发射区、基区、集电区，同时相应地引出三个电极：发射极、基极、集电极。同时又在两两交界区形成PN 结，分别是发射结和集电结。 图2-2　晶体管结构示意图和电气符号a) NPN型　b) PNP型 二、晶体管的电流分配关系与放大作用 1.晶体管的结构特点1) 发射区重掺杂(掺杂浓度高)。2) 基区必须很薄。3) 集电结的面积应很大。4) 工作时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。 晶体管结构上的特点使其具备了电流放大作用的内部条件，但为实现它的电流放大作用，还必须具备一定的外部条件，必须提供放大的能量。使晶体管具有电流放大作用的外部条件是：晶体管发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。 一、晶体管的结构及类型 图2-3　晶体管内部载流子传输示意图 2.载流子的传输过程 晶体管内部载流子传输示意图如图2?3所示。因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入基区，又由于集电结反向偏置，故注入基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。因为基区很薄，所以留在基区的载流子很少。 二、晶体管的电流分配关系与放大作用 3.电流的分配关系 载流子的运动产生相应电流，它们的关系如下： 式中，IE为发射极电流；IB为基极电流，IC为集电极电流。β为共发射极电流的放大系数。可定义为 三、晶体管的特性曲线 1.输入特性 输入特性反映的是在集-射极电压UCE为常数的情况下，基极电流IB与发射结电压UBE的关图2-4　晶体管的输入特性曲线系，即 图2-4　晶体管的输入特性曲线 IB=f(UBE)｜UCE=常数它与PN结的正向特性相似，晶体管的两个PN结相互影响，因此，输出电压UCE对输入特性有影响，且UCE1时，这两个PN结的输入特性基本重合。我们用UCE=0和UCE≥1两条曲线表示，如图2-4所示。 三、晶体管的特性曲线 图2-5