CMOS模拟集成电路设计单级放大器.ppt

* * CMOS模拟集成电路设计 单级放大器 报告人：艾 力 组 员：艾 力、 刘 枫、 顾后荻、 陈 波、向国明、 范宗学、 朱万青、靳 行 提纲 提纲 1、共源级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器 共源级放大器 1、共源级放大器 1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析 cutoff active triode MOS管工作在饱和区时 共源级放大器 小信号分析 考虑沟道长度调制时， 共源级放大器 讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性 增大W/L、或增大VRD、或减小ID，都可以提高Av。 但是， 较大的器件尺寸，导致较大的器件电容。 较高的VRD会限制最大电压摆幅。 若VRD保持常数，减小ID，则必须增大RD，导致更大的输出节点时间常数。 共源级放大器 1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接 二极管连接的阻抗为 二极管连接的阻抗为 考虑体效应时 共源级放大器 增益 NMOS二极管连接做负载 其中 没有体效应 PMOS二极管连接做负载 共源级放大器 讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成集体管的尺寸不均衡。 例：为了达到10倍增益， ，则(W/L)1=50(W/L)2 在这个例子中，M2的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的10倍。若VGS1-VTH1=200mV，|VTH2|=0.7V，|VGS2|=2.7V，严重制约输出电压摆幅。 允许的输出电压摆幅减小。 共源级放大器 1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 长沟器件可以产生高的电压增益。 同时增加W、L将引入更大的节点电容。 ↑ID→ AV ↓ 考虑沟道长度调制， 共源级放大器 1.4 带源级负反馈的共源级放大器 小信号直接分析方法 这里，没有考虑体效应和沟道长度调制效应 讨论 增加源级负反馈电阻，使增益是gm的弱函数，实现线性的提高。 线性化的获得是以牺牲增益为代价的。 共源级放大器 考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为 共源级放大器 小信号等效分析 辅助定理：在线性电路中，电压增益等于-GmRout，其中Gm表示输出与地短接时电路的跨导；Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。 线性电路的输出端口可用诺顿定理来等效，输出电压为-IoutRout，定义Gm=Iout/Vin，可得Vout=-GmVinRout。 Gm? Rout? 共源级放大器 计算Gm （考虑沟道长度调制及体效应) 由于 ，所以 因此， 共源级放大器 计算Rout 流经ro的电流： 得到 所以， 共源级放大器 计算Av Av=-Gm(Rout||RD) 共漏级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 大信号分析 当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零； Vin增大并超过VTH，M1导通进入饱和区； Vin进一步增大， Vout跟随Vin的变化，且两者之差为VGS。 共漏级放大器 小信号分析 考虑体效应 讨论 增益1； 当Vin≈VTH时，增益从零开始单调增大； 随gm变大，Av接近gm/(gm+gmb)=1/(1+η)， η随Vout增大而减小，所以Av趋近1。 共漏级放大器 采用电流源的源跟随器 戴维南等效 小信号分析 共漏级放大器 考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载， 共漏级放大器 讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。 共栅级放大器 3、共栅级放大器 大信号分析 （Vin从某一个大值开始减少） 当Vin≥Vb－VTH时， M1处于关断状态，Vout＝VDD 当Vin较小时，且M1处于饱和区， 当Vin即一步减小，Vout也逐步减小， 最终M1进入线性区，此时， 共栅级放大器 由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时 讨论：增益是正值；体效应使共栅极的等效跨导变大了；共栅极放大器的输入阻抗较小。 因此， 而 得到， 共栅级放大器 小信