电力电子技术习题及答案 第1章.pdfVIP

第一章 电力电子器件 一、填空题： 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为 100A 。若该晶闸管阳、阴间 电压为60sinwtV，则其额定电压应为 60V 。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕 量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是 导通损耗 ；另一方是 开关损 耗 。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt 或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗 。 4、缓冲电路可分为 关断缓冲电路 和 开通缓冲电路 。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有 过流 和 过压 保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的 额定电压是700V。（ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（ √ ） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（ × ） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。 （ × ） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极 型晶体管则属电压驱动型开关管。（ √ ） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（ × ） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（ × ） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（ √ ） 三、选择题 1、下列元器件中，（ bh ）属于不控型，（ defijklm ）属于全控型,（ ac g ）属于半 控型 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、计算题 1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各 波形的电流平均值I 、I 、I 与电流有效值I、I、I。 d1 d2 d3 1 2 3 1 1 2 解：a）I   I sintd(t) m ( 1) 0.2717I d1 2  m 2 2 m 4 1  2 I 3 1 I  I sint d(t)  m   0.4767I 1 2  m 2 4 2 m 4 1 1 2 b） I   I s