半导体与晶体薄膜的XRD测量-图文(精)教程文件.docVIP

半导体与晶体薄膜的XRD测量-图文(精) 《半导体与晶体薄膜的XRD 测量》 实验报告 学 院 数理与信息工程学院 专 业 物理学 课 程 近代物理实验 姓 名 阮柳晖 学 号组 员 王健華 指导老师 斯劍霄 完成时间：2012年5月27日 【摘要】： 利用Y —2000型X 射线衍射仪，对不同衬底所镀晶体薄膜进行XRD 测量，利用测量出的衍射峰，可以较好地分析薄膜晶面在不同温度下的生长趋势，从而帮助获得较高纯度的晶体薄膜。此外，利用各衍射峰的半高宽，可以获得相关晶体所对应的密勒指数下的晶粒大小，并对不同温度相同晶面的晶粒大小进行比较分析。 【关键词】：XRD 测量 衍射峰 晶体薄膜 半高宽 晶粒大小 【引言】： 自从伦琴于1895 年发现X 射线以来，人们对X 射线的应用开展了深入的研究。X 射线衍射技术是利用X 射线在晶体、非晶体中衍射与散射效应，进行物相分析、结构类型和不完整性分析的技术，可广泛应用于物理学、化学、分子物理学、医学、金属学、材料学、高分子科学、工程技术学、地质学、矿物学等学科领域，是目前应用最广泛的一项技术，在材料现代分析方法中占有重要的地位。XRD 主要应用于定性相分析、定量相分析、晶粒大小的测定、材料的宏观和微观应力测定、织构(择优取向 分析、取向度和晶体及多晶体的定向测量。 本文主要介绍利用XRD 衍射仪测量晶体衍射峰强度，从而了解所镀膜层随温度变化晶体生长取向的变化趋势，以及根据晶体对应密勒指数下的衍射峰的半高宽计算晶粒大小，进而对薄膜材料的制备条件有更为深入的了解。 【正文】： 一、 实验原理 （1）、布拉格方程及其衍射理论 图1 X 射线布拉格衍射示意图 布拉格方程一般表示为： 2d hkl sin θ = n λ 其中，d hkl 是(hkl 晶面间距，θ 是布拉格角，整数n 是衍射级数，λ 是所用X 射线的波长。布拉格方程反映了X 射线在晶体中衍射时所遵循的规律。 （2）、谢乐公式 根据XRD 衍射数据，可以采用谱线宽化法间接测定晶体中平均晶粒大小，其计算式如下 L h , l , k k λ=βh , k , l cos θh , k , l 这就是著名的谢乐( Scherrer 公式。其物理意义为: 垂直于h, k, l 晶面方向上的晶粒大小。式中: K: 入射X 射线的波长，操作中取0.9； θh, k, l : h, k, l 晶面的衍射角； B h, : h, k, l 晶面衍射峰的宽度( 2θ弧度 ； 二、实验仪器及使用说明 本实验利用Y —2000型XRD 衍射仪。仪器如下： 其内部结构包括： 1、高稳定度X 射线发生器及防护系统 2、测角仪（卧式或立式） 3、冷却循环水装置(一体或分体 4、数字化记录控制单元及探测器 5、衍射仪操作系统及应用分析软件包 6、高性能计算机及技术资料和配件 打开冷却水及XRD 衍射仪电源，前期预冷半小时，打开计算机，放入样品，打开衍射仪操作软件，设置参数后衍射仪进入工作，数据经探测器显示在衍射仪操作软件上，数据采集结束后，保存数据。 三、实验验数据及处理 （一）、温度对薄膜晶面生长的影响 根据实验数据将不同温度所镀相同材料做出同一坐标下射线衍射强度—2倍衍射角曲线图，从图中可以分析出各个晶面衍射强度随温度的变化趋势，在不同温度下所镀膜层，其某一晶面衍射强度不同，衍射强度越大，说明该温度越有利于该晶面的生长。具体图像及数据如下： ①、Grown BaF2 on Ag substrate（250℃、300℃，Cu 靶） 温度升高的过程中： （1）、有利于BaF2（200）、（400 晶面的生长。猜想，在300?C 存在一温度最有利于BaF2（200）、（400 晶面的生长。 （2）、抑制BaF2（111）、（311）晶面的生长。猜想在250?C 存在一温度最利于BaF2（111）、（311）晶面的生长 （3）、温度升高对于BaF2（222）晶面则表现为基本相同。猜想，温度对BaF2（222）晶面生长几乎不影响，或者，250—300?C 之间存在一温度最利于或最不利于BaF2（222）晶面的生长。 ②、Grow BaF2 on PbTe substrate (200℃、250℃、300℃、350℃，Cu 靶 温度升高的过程中： （1）、有利于BaF2(111晶面的生长。猜想在350?C 存在一温度最利于BaF2(111晶面的生长。 （2）、对于BaF2（222）表现为先增后稳定，在从200—250?C 有一个突增，而300?C 比250?C 明显减小，350?C 与300?C 几乎无异，猜想250?C 左右可能为最利于BaF2（222）生长的温度。 （3）、BaF2（511）晶面与BaF2（222）晶面表现相