有源光器件和无源光器件区别及基础复习过程.ppt

有源光器件和无源光器件;光有源器件定义：需要外加能源驱;光无源器件定义：不需要外加能源;光器件与电器件的类比;多波长光源DWDM光调制器光隔;光器件的分类光电变换器件光开关;光电变换器件F-P腔激光二极管;光调制器件幅度调制机械调制电光;光色散补偿器件色散控制色散位移;光网络器件光耦合透镜（自聚焦透;光放大器件掺铒光纤放大(EDF;元件：Components器件;第三章 有源光器件和 ;3.1 激光的基础知识3.1;其中E2和E1分别为跃迁前、后;3.1.2 光子若原子从E2;处于高能级的原子自发的辐射一个;E2E1N2N1全同光子h?3;E2E1N2N1h?上述外来光;自发辐射是单向性的；受激跃迁是;3.1.4 粒子数反转在热平;N2N1粒子数反转（N2 N;例如：T ～103 K；kT～;例题1、假设一个激光二极管发出;无标题;3.2 半导体光源3.2.1;3.2.1 半导体激光器的特点;综上所述，半导体激光器的激射条;半导体激光器（LD）的特点：半;3.2.2 半导体激光器（L;法不里-泊罗激光器Fabry-;FP-LD的结构FP-LD管芯;FP-LD的工作原理要实现FP;例如：如果L= 0.4mm ;1、必须增益大于损耗： ;相邻两个纵模的间隔λN –λN;分布反馈激光器Distribu;为了减少线宽，需要激光管只发射;a) 分布反馈激光器b) 分布;activen-DBRp-DB;量子阱激光器为了提高发射效率，;MQW激光器是用超薄膜（厚度〈;MQW激光器的优点：??? （;3.2.3 发光二极管（L;3.2.2 发光二极管Ligh;LED的结构光纤通信用的发光二;面发射同质结发光二极管的基本类;LED结构截面图边发射双异质结;介于LED和LD之间的光源。在;LED的工作原理值得注意的是，;GaAs的Eg=1.435eV;主要性能指标波长通常为： 78;SLED的P-I特性LED的P;LED的耦合效率LED的发射功;a)面发射LED（朗伯源）b);LED的温度特性当温度上升时，;LED的波长和光谱宽度峰值波长;LED的电特性包括：正向电压、;电容C电容C是LED的固有特性;载流子寿命 上升/下降时间和带;是根据脉冲最大值的10%到90;归一化输出功率电流（mA）上升;电调制带宽BW是指当电功率衰减;即：增加LED的带宽是以输出功;复习题 3.1.1 当量子效率;无标题;3.3 光电探测器P-N光电二;3.3 光电探测器P-N光电二;输入输出特性：输入光功率P，输;例题：光电二极管的响应度是0.;PIN光电二极管（Photod;图3.3-5 PIN??电二极管;雪崩光电二极管Avalanch;1、工作原理：在光电二极管上加;简单归纳其工作原理为：高的反向;探测器材料Silicon (S;复习题3.31、光电二极管的主;无标题;四、光无源器件 1.光纤;1、光纤的连接、光纤连接器“跳;2.光衰减器一、分类：固定衰减;自聚焦透镜衰减片自聚焦透镜光衰;光可变衰减器原理图 输入光输出;3.光纤定向耦合器分类：标准耦;研磨法光纤2×2耦合器原理示意;熔锥光纤2×2耦合器示意图 任;11NM星形耦合器;光时分复用器件10Gb/ssi;4×10Gb/s multip;4.波分复用器Waveleng;A、分类熔锥型(粗WDM)多层;直通臂(P1)耦合臂(P2)P;棱镜分光型波分复用器;Multiplexers (M;干涉滤光片型波分复用器?1—?;光栅型波分复用器---体光栅主;布拉格光栅?1—?16?1—?;光纤光栅型波分复用器其反射波长;Array Waveguide;5.光隔离器—Isolator;Faraday效应：在外磁场作;光隔离器原理示意图 外加磁场反;外加磁场外加磁场固有磁光材料4;磁光材料的光偏转角：L (m);偏振无关光隔离器的工艺结构RR;6.光环行器-- Circul;光环行器的原理eRR(450);光环形器+CFBG的色散补偿原;7.光滤波器光滤波器是允许特定;Filter Characte;固定滤波器介质滤波器--Die;介质滤波器--Dielectr;光纤光栅Fiber Bragg;光纤光栅的制作;Add / Drop Node;可调谐法-泊滤波器Tunabl;多重通带， Lorentzi;8.光开关分类：1、机械式光开;1、机械式光开关光路切换示意图;移动反射镜、透射镜式;2、磁光、电光效应式光开关光输;3、集成光学光开关（电光、热光;MEMS;用DWDM+光开关可构成OAD;9.光调制器主要两种： Mac;Mach-Zehnder 调制