传感器第4章 磁传感器1 3.pptVIP

1 第四章 磁传感器 第一节 概述 第二节 霍尔磁敏传感器 第三节 磁敏电阻 第四节 感应式磁敏传感器 第五节 磁通门式磁敏传感器 第六节 质子旋进式磁敏传感器 第七节 光泵式磁敏传感器 第八节 SQUID 磁敏传感器 磁敏传感器是对磁场参量(B,H,φ)敏感的元器件 或装置 , 具有把磁学物理量转换为电信号的功能。 2 磁 场 测 量 方 法 分 类 3 ? 质子旋进式磁敏传感器 ? 光泵式磁敏传感器 ? SQUID （超导量子干涉器）磁敏传感器 ? 磁通门式磁敏传感器 ? 感应式磁敏传感器 ? 半导体磁敏传感器 霍尔器件、磁敏电阻、磁敏二极管、磁敏三极管 ? 机械式磁敏传感器 ? 光纤式磁敏传感器 法拉弟磁光效应型 、磁致伸缩型 、磁力作用型 磁敏传感器的种类 4 半导体磁敏器件的特点： （ 1 ）从直流到高频，比如数十 GHz ，其特性完全一 样，也就是完全不存在频率关系。这是因为在磁敏器 件的主要材料半导体中，电子的运动受磁场的影响， 运动速度非常快，足以跟上频率的变化。 （ 2 ）磁敏器件是利用磁场工作的，因此可以通过非 接触方式传感，应用广泛，且寿命长、可靠性高。 （ 3 ）半导体磁敏器件产生与磁场强度成比例的电动 势，它不仅能够测量动磁场，也能把静止的磁场变换 成电信号。如用线圈探测静磁场时，只要线圈相对磁 场运动就可以测出静止的磁场强度。 （ 4 ）结构简单，使用方便。 （ 5 ）可以发挥半导体固有的特点，即能够使器件小 型化和集成化。 5 一、霍耳效应 —— Hall effect ? 当电流垂直于外磁场方向通过导体或半导体薄 片时 , 在垂直于电流和磁场方向的两侧产生电势差 的现象叫做 霍尔效应 。 第二节 霍耳磁敏传感器 6 设霍耳片的长度为 L ，宽度为 w ，厚度为 d 。 又设电子以均匀的速度 v 运动，则在垂直方向施 加的磁感应强度 B 的作用下，它受到 洛仑兹力 q — 电子电量 (1.62 × 10 - 19 C) ； v — 电于运动速度。 同时，作用于电子的 电场力 qvB f L ? w qU qE f H H E / ? ? w qU qvB H / ? 当达到动态平衡时 7 d nqvw d jw I ? ? ? ? ? d nqw I v ? ? ? / pqd IB U H / ? 电流密度 j= － nqv n:N 型半导体 中的电子浓度 N 型半导体 P 型半导体 p:P 型半导体中的 空穴浓度 nqd IB U H / ? ? w qU qvB H / ? 注： n 型半导体和 P 型半导体中电子和空穴带有符号相反的电荷 量，霍尔效应中会产生相反的霍尔电压，所以依据霍尔电压的 正负可以判别材料的类型。 8 霍耳电势 U H 与 I 、 B 的乘积成正比，而与 d 成反比。于 是可改写成： d IB R U H H ? ? R H — 霍耳系数 ，由载流材料物理性质决定。 ρ — 材料电阻率 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 型） （ 型） （ P qp R N qn R H H ?? 1 1 μ — 载流子迁移率 , μ = v /E, 即单位电场强度作用下载流子的平均 速度。 金属材料，电子 μ 很高但 ρ 很小，绝缘材料， ρ 很高但 μ 很小。 故为获得较强霍耳效应，霍耳片全部采用半导体材料制成。 pqd IB U H / ? nqd IB U H / ? ? N 型半导体 P 型半导体 9 设 K H = R H / d K H — 霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理 性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单 位控制电流时霍耳电势的大小。 若磁感应强度 B 的方向与 霍耳器件的平面法线夹角 为 θ 时，霍耳电势应为： U H ＝ K H I B U H ＝ K H I B cos θ d IB R U H H ? ? 10 注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍 耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向 时，霍耳电势并不改变方向。 讨论： 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不 是都可以制造霍尔元件 ? 绝缘材料电阻率很大，电子迁移率很小，不适用； ? 金属材料电子浓度很高， R H 很小， U H 很小。 ? 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以 霍尔元件多采用 N 型半导体（多电子）。 ? 由上式可见，厚度 d 越小，霍尔灵敏度 K H 越大， 所以霍尔元件做的较薄，通常近似 1 微米。 11 二、基本特性 1 、直线性 ： 指霍耳器件的输出电势 U H 分别和基本参 数 I 、 U 、 B 之间呈线性关系。 条件：半导体内载流子平衡直线运动， L/w 很大 U H = K H BI 2 、灵敏度 ： 可以用乘