材料物理第五章导电物理教学幻灯片.ppt

测试时，将形状记忆合金试样连续加热和冷却，同时测量其电阻随温度变化曲线。曲线如图5.19所示，室温时合金为马氏体，随着加热温度升高，试样电阻随温度线形增大。当达到As点时马氏体开始向母相转变，电阻向下偏离直线变化，随着温度继续升高，转变量增多，电阻继续下 降，当转变结束时电阻恢复随温度 的线形增加，这就是Af点。冷却时 与加热相反，电阻先随温度线形下 降，当母相向马氏体转变时上升， 转变终了时继续下降，由此可得 Ms和Mf点。 图5.19 形状记忆合金电阻－温度曲线 4、研究材料的疲劳和裂纹扩展 因为材料的应力疲劳是内部位错的增殖、裂纹的扩展等缺陷的发展过程。 可将开好缺口的试样置于可使试样通过稳恒电流的试验机上，并施以周期性载荷。例如，金属镍在低周期应力疲劳过程中，电阻变化曲线如图5.20所示，周期为每分钟一个应力循环。 在疲劳过程中，电阻变化可分为四个阶段，第1、2阶段电阻变化不大，即疲劳开始阶段，试样内部缺陷无明显变化；第3阶段电阻值随疲劳应力次数增加开始逐渐增大，表明试样内部缺陷的密度不断增加；第4阶段电阻变化幅度最大，原因之一是内部缺陷密度急剧增长，而且原有的内部微裂纹已扩展到试样表面，所以引起电阻大幅度增大。 图5.20 镍在低周期应力疲劳时的电阻变化 在这种探测法中，探测点之间的电位变化和裂纹的长度之间存在着函数关系，故利用电阻的变化检查试样中裂纹的缓慢生长是一个有效的方法。 电阻分析还可以研究钢的过冷奥氏体等温转变曲线、回火转变、回复和再结晶、有序无序转变等。凡是转变前后或转变过程中有电阻变化现象，都可利用电阻分析方法进行研究。 5.6半导体与p-n结 5.6.1本征半导体与非本征半导体 半导体材料无论按电阻率（ρ=10-3～109Ω·m）还是按能带理论（禁带宽度Eg = 0.2～3.5eV），其电学性能都介于金属导体（ρ＜10-5Ω·m，Eg =0）与绝缘体（ρ＞109Ω·m，Eg ＞3.5eV）之间。半导体一般以硅或锗为主体材料，由于锗易于提纯，所以最先得到应用。但随着科学技术的进步，提纯技术已不存在任何困难，这时硅就显示出其巨大的优越性： ① 硅是地壳外层含量仅次于氧的普通元素，在地球上储量非常丰富，所以硅原料比其他半导体材料都便宜； ② 硅的禁带宽度（1.11 eV）比锗的禁带宽度（0.67eV）大很多，在较宽的禁带中可以有效地设置杂质能级； ③ 硅器件的功率比锗大，器件的工作温度较高，可达150～200℃，而锗只能达到75.9℃； ④硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜，从而能够制备MOSFET场效应管。当前95%以上的半导体器件都是使用硅材料制作的。 所谓本征半导体是指纯净的无结构缺陷的半导体单晶，在0K和无外界影响的条件下，半导体的导带中无电子，所以很纯的单晶硅基本不导电。但当温度升高或受光照射时，电子占据导带能级的可能性增加了，半导体的导电性也随之增加。在实际应用中由于本征半导体中电子和空穴两种载流子数量相等，而且载流子较少，因此，导电性能主要靠半导体的掺杂特性来解决。在半导体材料的实际制备中常常人为地引入一定数量的杂质和缺陷。当杂质和缺陷所形成的电导超过本征电导时，就称为非本征半导体。 1、n型半导体 如果向本征半导体中添加像磷、砷、锑这样的5价元素时，就相当于给本征半导体注入了价电子，使晶体中自由电子的浓度增加。因为磷、砷、锑中的4个价电子会参与本征半导体（硅或锗）的共价键结合，当 它顶替本征半导体晶格 中的一个4价元素原子时 ，还余下1个价电子，这 个价电子就会进入导带参 与导电，如图5.21所示。 图5.21 硅掺杂的晶格示意图 像磷、砷、锑这样向本征半导体提供电子作为载流子的杂质元素称为施主。掺入了施主杂质的的非本征半导体以负电荷（电子）作为载流子，称为n型半导体（negative，表示负电荷的意思）。 理论计算和实验结果表明，施主的富余价电子所处的能级Ed（施主能级）非常靠近导带底（Ec为导带能级），只要有一个很小的能量（Ec－Ed）就可以使这个电子进入导带。 （Ec－Ed）的值在锗中掺磷为0.012eV，在硅中掺砷为0.049 eV，在硅中掺锑