半导体物理基础 孟庆巨.pptVIP

第一章 当热平衡状态受到扰乱时 ( 亦即 pn ≠ n i 2 ) ，会出现一些使系统回复 平衡的机制 ( 亦即 pn=n i 2 ) ，在超量载流子注入的情形下，回复平衡的 机制是将注入的少数载流子与多数载流子复合。 按是否通过复合中心进行复合来分： 复合： 复合类型： 按复合过程释放能量的方式分： ? 辐射复合： 能量以光子的形式辐射出去的复合过程 ? 非辐射复合： 能量通过对晶格产生热而消耗掉的复合过程 ? 直接复合： 带自带间进行的复合。通常在直接禁带的半导体中较 为显著，如砷化镓； ? 间接复合： 通过禁带复合中心进行的复合，通常在间接禁带的半 导体中较为显著，如硅晶。 产生与复合过程 第一章 直接复合 (direct recombination) 产生速率 G th ： 对在热平衡状态下的直接禁带半导体，晶格原 子连续的热扰动造成邻近原子间的键断裂。当一个键断裂，一 对电子 - 空穴对即产生。以能带图的观点而言，热能使得一个 价电子向上移至导带，而留下一个空穴在价带，这个过程称为 载流子产生 (carrier generation) ，可以用 产生速率 G th ( 每立方厘 米每秒产生的电子 - 空穴对数目 ) 表示之； 复合率 R th ： 当一个电子从导带 向下移至价带，一个电子 - 空穴 对则消失，这种反向的过程称为 复合 ，并以 复合率 R th 表示之， 如图所示。 描述产生与复合的物理量 ： 产生与复合过程 Ec Ev Gth Rth (a) 热平衡时 第一章 热平衡状态下的产生与复合规律 ： 在热平衡状态下，产生速率 G th 必定等于复合率 R th ，所以 载流子浓度维持常数，且维持 pn=n i 2 的状况。 由于直接带隙半导体导带的底部与价带的顶端位于同一 动量线上，在禁带间跃迁进行复合时，无需额外的动量，直 接 复合率 R 应正比于导带中含有的电子数目及价带中含有的 空穴数目。因此，对一 n 型半导体而言，可以得到 0 0 . th th n n G R n p ? ? ? 其中，其中 β 为比例常数，第一个下 标指半导体的型态，下标 0 表示平衡 量， n n0 及 p n0 分别表示在热平衡下 n 型 半导体中的电子及空穴浓度。 Ec Ev Gth Rth (a) 热平衡时 产生与复合过程 第一章 当超量载流子被导入一个直接禁带半导体中时， 复合率 R 仍应正比于导带中含有的电子数目及价带中含有的空穴数 目，即 R np ? ? 非平衡状态下的产生与复合规律 ： 例如，当在 n 型半导体上照光，使它以 G L 的速度产生电子 - 空 穴对，载流子浓度将大于平衡时的值，因而复合与产生速率 分别变为 其中 Δ n 及 Δ p 为超量载流子浓度 且 Δ n= Δ p ，以维持整体电中性。 ? ?? ? p p n n p n R n n n n ? ? ? ? ? ? 0 0 ? ? L th G G G ? ? 0 n n n n n ? ? ? 0 n n p p p ? ? ? 产生与复合过程 Ec Ev GL R Gth hv (b) 光照下 第一章 因此，净复合率正比于超量少数载流子浓度。 在稳态下， dp n /dt=0 ，由上式可得 就小注入而言， Δ p 、 p n0 均远小于 n n0 ，上式可简化为 . L th G R G U ? ? ? 0 0 . th th n n G R n p ? ? ? ? ?? ? p p n n R n n ? ? ? ? ? 0 0 ? 和 代入，并考虑 Δ n= Δ p 得 ? ? p p p n U n n ? ? ? ? ? 0 0 ? 0 0 0 1 n n n n n p p p n U ? ? ? ? ? ? , n L th dp G R G G R dt ? ? ? ? ? 因而空穴浓度改变的净速率为 产生与复合过程 第一章 寿命的物理意义可以通过器件在瞬间 移去光源后的暂态相应作最好的说明。 对如图的 n 型样品，光照射其上且整个 样品中以一个产生速率 G L 均匀地产生 电子 - 空穴对，在稳态下，有 所以 在式 中比例常数称为超量少数载流子的寿命 (lifetime,τ p ) ，即 0 0 0 1 n n n n n p p p n U ?