半导体氧化工艺.pptVIP

热氧化工艺的设备 ? 热氧化的设备主要有水平式和直立式两种 ， 6 英寸以下的硅片都用水平式氧化炉 ,8 英 寸以上的硅片都采用直立式氧化炉。氧化 炉管和装载硅片的晶舟都用石英材料制成 。在氧化过程中，要防止杂质污染和金属 污染，为了减少人为的因素，现代 IC 制造 中氧化过程都采用自动化控制。如图 3 和图 4 所示分别是典型的水平式氧化炉系统和直 立式氧化炉系统。 ? 影响氧化均匀性的重要工艺参数是氧化区 域的温度分布。在水平式氧化炉中采用五 段加热器进行控温即是为了达到最佳的温 度分布曲线，通常温度误差控制在士 0.5 ℃ 。 ? 与水平式氧化炉系统相比，直立式氧化系 统有一个很大的优点，就是气体的向上热 流性，使得氧化的均匀性比水平式的要好 ，同时它体积小、占地面积小，可以节省 净化室的空间。 ? 在硅片进出氧化区域的过程中，要注意 硅片上温度的变化不能太大，否则硅片会 产生扭曲，引起很大的内应力。一个氧化 过程的主要步骤如图 5 所示。 ? 步骤 1: 硅片送至炉管口，通人 N 2 及少量 O 2 ? 步骤 2: 硅片被推至恒温区，升温速率为 5 一 30 ℃ /Min 步骤 步骤 3: 通人大量 O 2 ，氧化反应开始。 ? 步骤 4: 加人一定比例的含氯气体 ( 干氧化方式 ) ，或通人 H2( 湿氧化方式 ) 。 ? 步骤 5: 通 O 2 ，以消耗残留的含氯气体或 H2 ? 步骤 6: 改通 N 2 ，做退火处理。 ? 步骤 7: 硅片开始拉至炉口，降温速率为 2 -- 10 ℃ /Min ? 步骤 8: 将硅片拉出炉管。 图 3 水平式氧化炉系统 图 4 直立式氧化炉系统 氧化工艺 内容 1 、列出硅器件中，二氧化硅膜层的基本用途。 2 、描述热氧化的机制。 3 、氧化方法及工艺设备。 4 、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。 5 、氧化膜的质量评估。 ? 在集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们 发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在 SiO2 的扩散速度比在 Si 中的扩散速 度慢得多， SiO2 膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模， 并促进了硅平面工艺的出现。同时在 Si 表面生长的 SiO2 膜不但能与 Si 有很好的附着性，而且具有非常稳定的化学性质和电绝缘性。因此 SiO2 在集成电路中起着极其重要的作用。 ? 在平导体器件生产中常用的 SiO2 膜的生长方法有 : 热生长法、化学气 相沉积法、阴极溅射法 ,HF 一 HNO3 气相钝化法、真空蒸发法、外延生 长法、阳极氧化法等。在深亚微米 IC 制造中，还发展了快速加热工艺 技术。选择何种方法来生 SiO2 层与器件的性能有很大关系。 二氧化硅层的用途 1 、表面钝化 2 、掺杂阻挡层 3 、表面绝缘体 4 、器件绝缘体 5 、 缓冲层 6 、隔离层 ? 作为 MQS 器件的绝缘栅介质 : 在集成电路的 特征尺寸越来越小的情况下，作为 MQS 结 构中的栅介质的厚度也越来越小。此时 SiO 2 作为器件的一个重要组成部分 ( 如图 1 所 示 ) ，它的质量直接决定器件的多个电学参 数。同样 SiO 2 也可作为电容的介质材料。 ? 作为选择性掺杂的掩模 : SiO 2 的掩蔽作用是 指 SiO 2 膜能阻挡杂质 ( 例如硼、磷、砷等 ) 向 半导体中扩散的能力。利用这一性质，在 硅片表面就可以进行有选择的扩散。同样 对于离子注人， SiO 2 也可作为注人离子的 阻挡层。 ? 作为隔离层 : 集成电路中，器件与器件之间 的隔离可以有 PN 结隔离和 SiO 2 介质隔离。 SiO 2 介质隔离比 PN 结隔离的效果好，它采 用一个厚的场氧化层来完成。 ? 作为缓冲层 : 当 Si 3 N 4 。直接沉积在 Si 衬底 上时，界面存在极大的应力与极高的界面 态密度，因此多采用 Si 3 N 4 / SiO 2 / Si 结构， 如图 2 所示。当进行场氧化时， SiO 2 会有软 化现象。可以清除 Si 3 N 4 和衬底 Si 之间的应 力。 ? 作为绝缘层 : 在芯片集成度越来越高的情况 下就需要多层金属布线。它们之间需要用 绝缘性能良好的介电材料加以隔离， SiO 2 就能充当这种隔离材料。 ? 作为保护器件和电路的钝化层 : 在集成电路 芯片制作完成后，为了防止机械性的损伤 ，或接触含有水汽的环境太久而造成器件 失效，通常在 IC 制造工艺结束后在表面沉 积一层钝化层，掺磷的 SiO 2 薄膜常用作这