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半導體封裝工程 陳兆勛教授 國立臺灣大學應用力學研究所 IC的認識 IC的認識 IC的認識 晶圓 第0層次 第1層次 第4層次 (Gate) 第3層次 (Board) 第2層次 (Card) CAX QFP cax cax IC塑膠封裝簡介 ? 簡而言之，把IC晶片包裝起來的過程，就是 IC封裝。 技術的演進 IC封裝的目的 ? 保護晶片避免受到外界空氣離子、塵粒、溼 氣的破壞。 ? 增加其機械性質與物理性質，提高生產效率 及攜帶方便。 ? 增加晶片散熱能力 IC塑膠封裝製程 ? 晶圓切割 (Wafer Sawing) ? 黏晶 (Die Attaching) ? 銲線 (Wire Bonding) ? 封膠 (Molding) ? 剪切與成型 (Trimming / Forming) ? 印字 (Marking) ? 檢測 (Inspecting) IC塑膠封裝轉移成型製程 ? 轉移成型模具介紹 – 轉移缸 – 流道 – 澆口 – 模穴 轉移缸 ? IC塑膠封裝製程問題 – 金線偏移 模穴 – 翹曲變形 澆口 – 導線架、晶片托盤變形 流道 導線架置於 – 爆米花 (Popcorn) – 氣泡 (Void) 模穴上方 – 脫層 (Delaminating) 金線 金線偏移問題簡介 晶片 金線 澆口 晶片托盤 導線架 金線 模流 晶片 模穴 金線偏移的分析流程 Global-Flow Analysis C-MOLD D = C U A ρ 2 D w 2 Local-Flow Analysis Lambs Equation C D = 8 π Re[ 2. 002 ln(Re)] ? Re = ρ Ul η Wire- Deformation Analysis Nguyens Formula Ph Pm 3 3 δ = + 3GI 3EI P ANSYSs Formula Circular Arch Formula 金線密度的探討 Re gi on 3 Re gi on 2 Region 1 Region 2 Region 3 Re gi on 1 Section 0 Section 1 Section 2 Section 3 S ection 0 S ection 1 S ection 2 S ection 3 π *W *W SF = + + 1 n dSF = + + 2* S L W C h t W W n d S L W h C t : The cross-section wire number of the wire region : The wire diameter : The cross-section length of the wire region : The cross-section wire height in the cavity : The gap thickness of the cavity CAE模擬IC塑膠 封裝轉移成型製程 ? 模擬軟體 – C-MOLD Reactive Molding ? 模擬流程 – 前處理 ? 建立有限元素網格模型 ? 設定封裝材料參數、製程參數 – 分析 – 後處理 模穴幾何模型之建構 ? 假設融膠不通過導線架開孔 – 導線架分隔為上下次模穴 ? 以圓形澆口模擬梯形澆口 ? 利用複數因子(multiplicity factor)來作對稱模型的簡化 晶片 金線 澆口 晶片托盤 導線架 上模穴 連接器 Connector 下模穴 封裝材料的性質 ? 流變行為 ( +C α ) C ? α ? η 1 2 – η ( ) ( ) T, , ? ? γα = gel 0 ( ) (1? ) ? T α ?α n ?η γ ? ? ? ? 1 + 0 gel ? ? τ * ? ? ? T ? η = ( ) ? T Bexp? b 0 ? T ? ? 硬化反應行為 – ( )( ) α = K + α ?α K 1 1 m m 2 1 2 ? ? E K1 A exp? 1 = 1 ? T ? ? ? ? ? E K = A 2 2 exp? 2 ? T ? ? ? CAE輸出結果解析與計算拖曳力 1 20 N101 N106 2 19 E664 E665 3 18 N108 N111 ? 擷取有限元素網格資料 4 17 5 16 – 緊臨金線之有限元素網格 ? 解析有限元素網格資料 6 7 – 計算速度、剪切率垂直金線方向分量 8 15 14 13 ? 計算拖曳力 9 12 10 11 – Lamb’s Model 2 C U D ρ P= D n w × S 2 8 CD = π [ (Re)] Re2.002 ln ? U r =