程序升温技术介绍专业知识讲座.pptVIP

文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 脱附物： CO 和 H 2 少量 (CH 3 ) 2 O 和 CH 4 脱附峰温： 530 o C 无高温峰 Ni 的存在促进了 CH 3 OH 分解。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 七、程序升温脱附红外检测 (TPD-IR) CO 在 Rh 催化剂的 吸附态： 1 、线式吸附态， 2060cm -1 2 、桥式吸附态， 1830cm -1 3 、孪生吸附态， 2090 和 2015cm -1 2086 和 2012cm -1 共 进退 a. CO-Rh I -CO b. Rh I 孤立中心 c. Rh I 稳定，无聚集。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 孪生 CO 吸附同上，线式 CO 随温度谱带蓝移，强 度减少。线式和桥式吸 附受 CO 覆盖度影响，对 应 Rh 粒子大小有关，为 非孤立的中心。存在两 类吸附中心，孤立的中 心 —— 孪生吸附；非孤 立中心 —— 线式和桥式 吸附。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 八、 CO 歧化 2CO(a) C(a) +CO 2 在 293 ? 533K ，孪生 CO 不变； 在 533K 以上，孪生 CO 同步锐减。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 在 293 ? 533K ，孪生， 桥式，线式 CO 不变； 在 533K 以上 1 、线式，桥式和孪生 CO 减小由于表面碳覆 盖引起向低频移动。 2 、孤立的孪生吸附中 心容易被表面碳覆盖。 无向低频移动。 线式，桥式吸附位粒 子大，表面无法覆盖 整个粒子。移向低频。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 第二节 程序升温表面反应 程序升温表面反应 (TPSR) ：在程序升温过程中， 在催化剂表面同时发生表面反应和脱附。 1 、预处理后的催化剂在反应条件下进行吸附和 反应，程序升温使催化剂上吸附的各个表面物种 边反应边脱附出来。 2 、载气为反应物，程序升温过程中，载气 ( 或载 气中某组成 ) 与催化剂表面上反应形成的某吸附 物种一面反应一面脱附。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 一、研究反应条件下的表面吸附态 TPD 与 TPSR 比较： 一个的 N 2 峰，峰位置 和形状明显不同。 830 K 峰形较宽。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 N 2 峰温为 500 K, 峰形窄。 当 H 2 存在，产生 NH 、 NH 2 中间体，并相互作用 生成 N 2 ，所以，低温下 就有 N 2 脱附 无 H 2 存在时，解离的 N 原 子结合而成，所以，高温 下才有 N 2 脱附。 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 二、考察反应机理 1 、饱和吸附 CO 的催化剂脉冲吸附 H 2 至饱和。在 He 中 TPSR 。 CH 4 出现在 340 o C ， H 2 O 与 CH 4 同步； 有 CO 和 CO 2 脱附 峰 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 2 、在 25 ％ H 2 /75%He 中吸附 CO ，再在 25 ％ H 2 /75%He 中 TPSR. 225 o C ， CH 4 窄峰 H 2 O 峰两个，低温 与 CH 4 相同；高温 峰从 350 o C 开始。 150 o C 有一个宽的 CO 无 CO 2 峰 文档来源于网络，文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。 催化剂即使吸附饱和了 CO ，还能吸附大量的 H 2 ， CO 和 H 2 在两个不同中心上，生成 CO 2 时，同时生 成 CH 4 。 流动 H 2 中，以相同峰形生成了等量 CH 4 和 H 2 O 。 1 、 CO(g) CO(a) 2 、 CO(a) C(a)