单步扩散制程的选择性发射极太阳电池制作_图文.docVIP

林景熙 1、龙健华 1、陈永芳 2, 3、 戴煜暐 2、徐伟智 1 1工业技术研究院绿能所,新竹县 竹东镇中兴路4段195号78馆402室,310 台湾 2新日光能源科技股份有限公司, 新竹市科学工业园区力行三路7号,300 台湾 3国立台湾大学物理系,台北市罗 斯福路四段1号,106 台湾 前言 太阳能电池发电持续受到广泛的 关注,市场规模也持续的扩大,一般 来讲,硅晶太阳能电池仍将是未来太 阳光伏产业的主流,研究人员持续在 这个领域贡献心力,开发出具有更高 光电转换效率与更低制作成本的新一 代太阳能电池,随着石化资源的持续 短缺,在可预见的未来,包括太阳能 电池发电在内的可再生能源终将在全 球能源市场里占有举足轻重的地位。 太阳能电池产业能否持续扩大发 展,价格是关键因素,可藉由降低制 程成本,或者是藉由提升太阳能电池 转换效率来降低价格。如果能在有限 的额外投资下提升太阳能电池转换效 率,这样的技术将具有非常大的产业 价值。本篇文章报告了我们新开发的 低成本选择性发射极技术,只需要一 道磷扩散制程即可获得选择性发射极 结构,本技术还具有适用于量产的网 印电极制程,可迅速应用于现有生产 线。 传 统 的 硅 晶 太 阳 能 电 池 表 面 有 一层掺杂浓度相对均匀的磷扩散层, 称为发射极,理想的发射极需要有良 好的横向导电性能,并且与电极之间 要有足够低的接触电阻。这样的发射 极一般需要有较高的磷掺杂浓度,较 高的磷掺杂浓度反应在电性上则为较 低的片电阻值,然而电极之间较高的 表面掺杂浓度会造成蓝光吸收损耗与 自由载子表面再结合损耗,不利达成 高光电转换效率。在生产线上,一般 是经由磷掺杂浓度的最佳化调整来维 持较高的太阳能电池转换效率。另一 种发射极最佳化的技术就是所谓的选 择性发射极技术,所谓的选择性发射 极结构,其电极下方的发射极有较高 的表面掺杂浓度,另一方面,电极之 间的发射极区域则为较低的表面掺杂 以同时减少光学与电性损耗,因此选 择性发射极结构其电极之间区域能够 有相对较好的蓝光量子效率(quantum 单步扩散制程的选择性 发射极太阳电池制作 摘要: 选择性发射极技术能够有效提升太阳电池效率。从结构上来说,传统的太阳电池表面有一层掺杂浓度相对均匀 的磷扩散层,称为发射极,为了保持网印银浆电极与发射极之间良好的电极接触性能,发射极需要较高的表面掺杂浓 度,从电性上来看,即需要较低的片电阻值,然而电极之间较高的表面掺杂浓度会造成蓝光吸收损耗与自由载子表面 再结合损耗,不利于实现高光电转换效率,选择性发射极即为克服上述困难的有效技术。所谓的选择性发射极结构, 其电极下方的发射极有较高的表面掺杂浓度,另一方面,电极之间的发射极区域则为较低的表面掺杂以同时减少光学 与电性损耗。一般常用的选择性发射极结构中,其电极下方发射极的掺杂浓度偏高,虽然高掺杂浓度具有低串联电阻 的好处,但是高掺杂浓度也影响了电极与其下方发射极之间的界面性质。本篇文章纪录了我们开发的新型选择性发射 极结构,电极下方的发射极采用较传统低的掺杂浓度,也就是电极下方的发射极仍然有较高的片电阻值,在维持电极 接触性能的条件下改善电极与其下方发射极之间的界面性质,降低自由载子在电极界面的再结合损耗,生产线上的批 量实验结果显示,相较于传统商用太阳能电池,此种新型选择性发射极太阳能电池,其光电转换绝对效率平均能够提 升约 0.4%。 此技术文章选自第十期印刷版《Photovoltaics International》季刊 47 Photovoltaics International efficiency,并且与电极之间仍能维 持良好的电极接触。 选择性发射极技术已发展一段时 间,陆续有不同的方式被提出来用于 制作选择性发射极结构 [1-11]。由于 选择性发射极在电极下方与电极之间 有不同的磷掺杂浓度,选择性发射极 的制作方式通常是先制作一层扩散阻 碍层,氧化硅或氮化硅薄膜常被用来 作为扩散阻碍层,之后再利用蚀刻或 雷射开口等方式制作出后续电极制程 所需的电极窗口图案,虽然选择性发 射极技术已发展一段时间,但是由于 需要额外制程与成本,实际上能够成 功应用于生产线的选择性发射极技术 相当有限,从工业生产角度来看,额 外制程与成本必须得能够产出相应的 效益回馈。 要将选择性发射极技术成功应用 于生产线的基本要求,是能够有效提 升所产出的太阳能电池转换效率,但 是快速发展的网印银导电浆材料可能 会限制选择性发射极技术的发展,近 年来网印银导电浆朝向高片电阻值射 极适用的方向发展,因此选择性发射 极技术必须符合低成本与高电池转换 效率的要求。本篇文章提出了一个满 足低成本与高电池转换效率的选择性 发射极技术,只需要一道磷扩散制程 即可获得选择性发射极结构,本技