性材料动态本构参数的计算反求方法_图文.docVIP

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性材料动态本构参数的计算反求方法_图文.doc

第30卷第3期 2009年6月 固体力学学报 CHINESE JOURNAL OF SOLID MECHANICS V01.30NO.3 June 2009 一种陶瓷脆性材料动态本构参数的计算反求方法。 伍乾坤 韩 旭” 胡德安 (湖南大学汽车车身先进设计与制造国家重点实验室,湖南大学机械与运载工程学院,长沙,410082 摘 要 提出了一种利用反射波和透射波响应反求陶瓷脆性材料动态材料本构参数的方法.通过数值模拟分 析哑铃形试件在加载和测试中能有效地消除动态应力波的应力集中,从而得到有效的动态压缩强度,因此该文利 用哑铃形得到的可靠反射波和透射波响应做反求输入信息.应用遗传算法,根据反射波和透射波响应反求材料本 构参数,避免了应力波效应和应变率效应解耦的问题,不必分离结构响应和材料响应,从而快速地获取参数. 关键词反求,脆性材料,哑铃形试件,遗传算法,SHPB 0引言 陶瓷材料具有高强度、高硬度、高声速、低密度 等特性,在军用防护装甲中得到广泛应用.陶瓷装甲 材料的本构关系和动态力学特性得到了国内外学者 的广泛研究,主要集中在利用分离式Hopkinson杆 (SHPB和飞片平板撞击技术测试其在高应变率和 高动压下的动态响应.1999年Holmquist T J等rH 对前人做的多种陶瓷试验数据做了一个较为全面的 收录;李英雷等心]测得了质量分数为95%的Al:O。 陶瓷(95瓷的应力一应变曲线为近似线性;张晓晴 等[3]测得95瓷在冲击加载下的应力一应变曲线呈非 线性关系;任会兰[43应用细观损伤力学理论,建立了 陶瓷材料的弹脆性动态损伤本构模型;石志勇等[5]测得了一条应变率相关的应力一应变曲线,并用遗传 算法确定了本构参数去拟合应力一应变曲线. 然而基于SHPB的基本假设测量入射波、透射 波和反射波得到应力一应变曲线,再去拟合曲线确定 相关本构参数,存在很多困难.因为陶瓷脆性材料强 度高,破坏应变小,这给SHPB测量其动态特性造 成很大的困难.陶瓷脆性材料常用的JH一2模型,其 材料参数的确定不是一个非常直接的过程,因为某 些参数不能通过试验显式确定[6].在高应变率下,必 然存在强约束效应,无法将应变率效应与约束效应 分离,无法实现单一因素试验[6].准确的确定本构参 数是计算模拟的必要前提,然而传统方法确定高应 变率下本构参数非常耗费人力物力,继而采用传统 方法测试不断改进的新型陶瓷材料将是一个不可取 的方法.近年来基于动力响应来反求材料特性取得 了一些成果口灌],为快速准确地确定本构参数提供 了新途径.本文用哑铃形试件做分析模型,利用透射 波和反射波响应作为输入信息反求陶瓷脆性材料动 态本构参数. 1陶瓷脆性材料模型 JH一2模型是由Holmquist等[6]发展起来的脆 性材料本构关系,JH一2被嵌入到LS-DYNA,EPIC, AUTODYN等商业软件中广泛应用.JH一2包含了 材料未损伤和已完全损伤的强度,膨胀的压力一体积 的关系,将材料从未损伤状态向完全损伤状态转换 的损伤模型.JH一2模型的正则化等效应力强度为:口。一盯?一D(盯,--t’f’ (1 其中,d,为未损伤材料正则化等效强度,盯;为完全 损伤材料正则化等效强度,D为损伤系数,d’一a/口HE。为等效应力正则化,口H。。为雨贡纽弹性极限 (HEL下的等效应力,盯=、/3SoSo/2为等效应力的 一般表达式,S。为偏应力分量. 未损伤材料正则化等效强度: d?=A(P。+T。。N(1+Cln£。 (2 完全损伤材料正则化等效强度: 盯芦一B(P’^f(1+Cl越’ (3 其中,P。一P/PHEL,T。=T/PHEL,A、C和N分别 ?国防基础研究项目(A142000166—08和教育部长江学者与创新团队发展计划项目(531105050037资助. 2008—06—12收到第l稿,2008—11—07收到修改稿. ¨通讯作者.Tel:0731—8823993, E—mail:xu_han688@hotmail.corn. 第3期 伍乾坤等:一种陶瓷脆性材料动态本构参数的计算反求方法 ?281? 为未损伤材料参考强度、应变率关联系数和强度指 数,B和M分别为完全损伤材料参考强度和强度指 数,T为材料可以承受的最大拉伸流体静压力,PHEL 为HEL下的静压力. 2确定反求本构参数 常用的SHPB压杆试验中试件主要处于单轴 压应力状态.在单轴压应力下JH一2模型的哪些参 数对响应有敏感性,进行简化模型的理论计算验证 是非常必要的.如图l所示,模型为一个边长为1m 的立方体,下表面约束Z方向,上表面给定位移边 界条件,向一Z方向压缩0.05m,参数取自文献 [6].单个单元在单轴压应力作用下有: 图1单个单元计算模型 Fig.1The Model of s

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