材料的介电性能整理.pptVIP

在 下，损耗角正切值达最大值，即可得 （2）温度的影响 εr、tgδ、P与T的关系 介质吸潮后，介电常数会增加，但比电导的增加要慢，由于电导损耗增大以及松驰极化损耗增加，而使tgδ增大。 对于极性电介质或多孔材料来说，这种影响特别突出，如，纸内水分含量从4％增加到10％时，其tgδ可增加100倍。 （3）湿度的影响 6.1.5 材料的介质损耗 (1)无机材料的损耗形式主要有： 电离损耗 结构损耗 ①电离损耗 电离损耗主要发生在含有气相的材料中。含有气孔的固体介质在外电场强度超过了气孔内气体电离所需要的电场强度时，由于气体电离而吸收能量，造成损耗，即电离损耗。其损耗功率可以用下式近似计算： U为外施加电压；U0为气体的电离电压 ②结构损耗 结构损耗是在高频、低温下，与介质内部结构的紧密程度密切相关的介质损耗。结构损耗与温度的关系很小，损耗功率随频率升高而增大，但tgδ则和频率无关。 一般材料，在高温、低频下，主要为电导损耗；在常温、高频下，主要为松弛极化损耗；在低温、高频下主要为结构损耗。 （2）离子晶体的损耗 离子晶体可以分为结构紧密的晶体和结构不紧密的离子晶体。 结构紧密的晶体离子都堆积得十分紧密，排列很有规则，离子键强度比较大，无极化损耗。 结构不紧密的离子晶体的内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷或较多的杂质，离子的活动范围扩大，损耗较大。 （3）玻璃的损耗 复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导损耗、松弛损耗和结构损耗。 哪一种损耗占优势，决定于外界因素――温度和外加电压的频率。 玻璃的tgδ与温度的关系 1、结构损耗； 2、松弛损耗 3、电导损耗； 4、总 损 耗 Na2O－K2O－B2O3玻璃 的tgδ与组成的关系 （4）陶瓷材料的损耗 主要是电导损耗、松弛质点的极化损耗及结构损耗。 表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成表面电导也会引起较大的损耗。 大多数电工陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要原因是：主晶相结构松散，生成了缺陷固溶体，多晶形转变等。 6.1.6降低材料的介质损耗的方法 选择合适的主晶相。 改善主晶相性能时，尽量避免产生缺位固溶体或填隙固溶体，最好形成连续固溶体。 尽量减少玻璃相。 防止产生多晶转变。 注意焙烧气氛。 控制好最终烧结温度 讨论介质损耗的意义 绝缘结构设计时必须注意到绝缘材料的tgδ 用于冲击测量的连接电缆，其绝缘的tgδ必须很小 在绝缘预防性试验中，tgδ是一项基本测试项目，当绝缘受潮或劣化时，tgδ急剧上升。 介质损耗引起的发热有时也可以利用 6.2 介电强度 概述： 固体电介质的击穿就是在电场作用下伴随着热、化学、力等等的作用而丧失其绝缘性能的现象。击穿后在材料中留下有不能恢复的痕迹，如烧焦或溶化的通道、裂缝等 ，去掉外施电压 ，不能自行恢复绝缘性能。 6.2.1 介电强度的定义 击穿场强——电介质所能承受的不被击穿的最大场强。 击穿电压——电介质（或电容器）击穿时两极板的电压。 电介质的击穿 一般外电场不太强时，电介质只被极化，不影响其绝缘性能。当其处在很强的外电场中时，电介质分子的正负电荷中心被拉开，甚至脱离约束而成为自由电荷，电介质变为导电材料。当施加在电介质上的电压增大到一定值时，使电介质失去绝缘性的现象称为击穿(breakdown)。相应的临界电场强度称为介电强度，也称击穿场强。 Al2O3 (0.03mm) 7.0 BaTiO3 (0.02cm，单晶） 0.04 Al2O3 (0.6mm) 1.5 BaTiO3 (0.02cm，多晶） 0.12 Al2O3 (0.63cm) 0.18 环氧树脂 160-200 云母 (0.002cm) 10.1 聚苯乙烯 160 云母 (0.006cm) 9.7 硅橡胶 220 一些电介质的介电强度 单位：106V/cm 第六章 其它功能特性 第一节 介电性能 在人类对电认识和应用的开始阶段，电介质材料就问世了。然而，当时的电介质仅作为分隔电流的绝缘材料来应用。为了改进电绝缘材料的性能，以适应日益发展的电气工程和无线电工程的需要，围绕不同的电介质在不同频率、不同场强的电场作用下所出现的现象进行科学研究，并总是以绝缘体的介电常数、损耗、电导和击穿等所谓四大参数为其主要内容。 随着电子技术、激光、红外、声学以及其它新技术的出现和发展，电介质已远不是仅作绝缘材料来应用了。特别是极性电介质的出现和被广泛应用、使得人们对电介质的理解及其范畴和过去大不相同。 引言 以绝缘体的四大参数为主要内容也逐步演变为以研究物质内部电极化过程。 固态电介质分布很广，而且往往具有许多可供利用的性质。