第八章光刻与刻蚀工艺.pptxVIP

集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺;主要内容;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;掩模版;Clean Room净化间;光刻工艺的基本步骤 ? 涂胶 Photoresist coating ? 曝光 Exposure ? 显影 Development;1)清洗硅片 Wafer Clean;5、对准 Alignment;9、坚膜 Hard Bake;光刻1－清洗;光刻3－涂胶 Spin Coating;光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系;光刻4－前烘Soft Bake;5-6、对准与曝光 Alignment and Exposure;;光学曝光、X射线曝光、电子束曝光 ①光学曝光－紫外，深紫外 高压汞灯：紫外(UV），300－450nm； i线365nm，h线405nm，g线436nm。 准分子激光：KrF：λ= 248nm； ArF：λ= 193nm； F2激光器： λ= 157nm。;电子束曝光：λ＝几十---100?； 优点：分辨率高；不需光刻版（直写式）； 缺点：产量低（适于制备光刻版）； X射线曝光：λ＝2---40? ，软X射线； X射线曝光的特点：分辨率高，产量大。 极短紫外光（EUV）：λ＝10—14nm;光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB）;光刻8－显影(De