薄膜物理与技术 2 薄膜的物理制备工艺学1 真空蒸发镀膜.pptVIP

2. 小平面蒸发源 这种蒸发源的发 射特性具有方向性， 使得在 角方向蒸发 的材料质量和 成 正比。 ? cos ? 2 2 1 cos cos cos dm m d m dS r ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 2 2 2 2 2 cos cos ( ) m mh t r h x ? ? ?? ?? ? ? ? ? 2.2.2 蒸发源的蒸发特性 d s 1 2.2.2 蒸发源的蒸发特性 0 0, =0 t ? ? ? 时， 表示原点处的膜厚，则 2 0 m = h t ?? 为 基片表面内所能得到的最大膜厚 。 基片平面内的任意处的膜厚分布可表示为： 0 2 2 1 = [1+(x/h) ] t t 2.2.2 蒸发源的蒸发特性 点源蒸发的厚度分布略均匀些。 在给定蒸发物、蒸发源和基板距离的情况下，平面蒸发源的 最大厚度可为点源的 4 倍左右。 蒸发装置是实现蒸发的关键部件。最常用的有：电 阻法、电子束法、高频法等。 1 电阻加热蒸发 （熔点低于 1500 0 C 的镀料） 对加 热材 料的 要求 1. 高熔点：蒸发源材料的熔点必须高于镀料的蒸发温度。 2. 饱和蒸气压低：防止和减少高温下蒸发源材料会随镀料蒸发而 成为杂质进入镀膜层。 3. 化学性能稳定，高温下不与蒸发材料反应。 4. 良好的耐热性，功率密度变化较小。 5. 原料丰富、经济耐用。 2.2.3 蒸发源的加热方式 2.2.3 蒸发源的加热方式 低电压大电流供电（ 150~500 ） A*10 V ，通过电流的焦耳 热使镀料熔化、蒸发或升华。 选择蒸发加热材料时，必须考虑蒸镀材料与蒸发材料 的“湿润性”问题。 2.2.3 蒸发源的加热方式 ? 湿润良好： 蒸发面积大、稳定，可以认为是面蒸发源蒸发。 ? 湿润小： 可以认为是点源蒸发，稳定性差。 2.2.3 蒸发源的加热方式 ? 可聚焦的电子束，能局部加温元素源，因不加热其它 部分而避免污染 ? 高能量电子束能使高熔点元素达到足够高温以产生适 量的蒸气压 2 电子束蒸发 电阻加热蒸发已不能满足蒸镀某些高熔点金属和氧化 物材料的需要，特别是制备高纯薄膜。电子束加热蒸发法 克服了电阻加热蒸发的许多缺点（如高污染、低加热功率 以及可达到温度低等），得到广泛应用。 2.2.3 蒸发源的加热方式 电子束蒸发源的优点： 1. 束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。 2. 被蒸发材料置于水冷坩埚内，避免了容器材料的蒸发， 以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度。 3. 热量直接加到蒸镀材料表面，热效率高，热传导和热辐 射损失小。 电子束蒸发源的缺点： 1. 可使蒸发气体和残余气体电离，有时会影响膜层质量； 2. 电子束蒸镀装置结构复杂，价格昂贵； 3. 产生的软 X 射线对人体有一定的伤害。 2.2.3 蒸发源的加热方式 第二章 薄膜的物理制备工艺学 宋春元 材料科学与工程学院 薄膜物理与技术 第二章 薄膜的物理制备工艺学 2.1 薄膜制备方法概述 2.2 真空蒸发镀膜 2.3 溅射镀膜 2.4 离子束镀膜 2.5 分子束外延技术 2.6 脉冲激光沉积技术 2.1 薄膜制备方法概述 物理气相沉积法？ 物理气相沉积法 (Physical vapor deposition) 是利用某种 物理过程 ， 如物质的 蒸发 或在受到粒子轰击时物质表面原子的 溅射 等现象，实 现 物质从原物质到薄膜 的可控的原子转移过程。 物理气相沉积法的共同特点 : (1) 需要使用固态的或者熔融态的物质作为沉积过程的源物质 (2) 源物质经过物理过程而进入气相 (3) 需要相对较低的气体压力环境 (4) 在气相中及在衬底表面并不发生化学反应 物理气相沉积法 ： (1) 蒸发镀膜法 ， (2) 溅射镀膜法， (3) 离子镀膜法、离 子束辅助沉积等 2.2.1 真空蒸发原理 2.2.2 蒸发源的蒸发特性 2.2.3 蒸发源的加热方式 2.2.4 合金及化合物的蒸发 2.2 真空蒸发镀膜 2.2 真