数据存储器的扩展电子教案.pptVIP

项目八：数据存储器的扩展; 项目目标 通过控制单个发光二极管的闪烁次数，学习MCS-51单片机数据存储器扩展的方法，学习MOVX、ACALL指令，能够根据要求编写控制程序。; 项目任务 应用AT89C51芯片，实现单片机系统数据存储器的扩展。要求在片外扩展的数据存储器中存储发光二极管的闪烁次数，通过调用片外的数据，理解片外数据存储器扩展的方法。 项目分析 本项目将发光二极管的闪烁次数存储在片外的数据存储器中，通过指令进行数据的调用和存储，理解数据存储器扩展方法及使用。; 在MCS-51指令系统中，与片外RAM进行数据传送只可以是累加器A，所有对片外RAM进行读写的操作必须通过A来完成。内部RAM单元之间可以进行直接的数据传送，但是外部RAM不行。若RAM单元间要进行数据传送，必须利用本组指令通过编写程序实现。 要对外部RAM进行读写，就必须知道单元地址。对外部RAM的寻址只能用间接寻址方式，可使用DPTR或者Ri作间址寄存器。DPTR是16位数据指针，用＠DPTR可对片外RAM整个64KB地址寻址；＠Ri是8位寄存器，只能对片外256个单元寻址。读写操作时，应先将要读写的片外RAM单元地址送入DPTR或者Ri中，然后使用MOVX指令。; 汇编指令 指令功能 ACALL addr11 根据给出的11位地址计算目的地址， 并将程序转移到此处执行子程序 绝对调用指令中提供了11位目的地址，可调用2K范围内的子程序。执行指令时，PC当前值即下一条指令的地址自动进栈，指令中11位目的地址装入PC的低11位，高5位不变。;一、数据存储器扩展 MSC-51内部有128B的RAM（52系列有256B），在某些应用场合片内RAM不够用，需要进行数据存储器扩展，扩展容量可达64KB。MSC-51使用专门的指令与外部数据存储器联系，它们分别是： 读操作：MOVX A,@Ri ；i=0,1 写操作：MOVX @Ri,A ；i=0,1 以上两条指令可寻址片外256B数据存储器单元。 读操作：MOVX A,@DPTR 写操作：MOVX @DPTR,A 以上两条指令可寻址片外64KB数据存储器单元。;1、常用RAM芯片介绍 6116和6264是常用的静态随机存储器芯片，它们都采用CMOS工艺制造，单一+5V供电，典型存取时间最大为200ns。不同的是，6264是8K×8位静态随机存储器芯片，额定功耗为200mW，为28线双列直插式封装，其管脚配置如图所示，工作方式见下表; 6116的存储容量是2KB×8，是静态随机存储器芯片，额定功耗为160mW， 24线双列直插式封装。下面详细介绍6264的使用方法。 6264的引脚功能： ①A0~A12：13根地址线 ② CE1：片选1 ③ OE：读允许线 ④ VCC：+5V工作电源 ⑤ D0~D7： 8根双向数据线 ⑥ CE2：片选2 ⑦ GND：接地线 ⑧ WE：写允许线;2．常用的扩展方法 下图是6264扩展的原理图，可以看出，CE2接高电平，89C51的RD与6264的OE相接，WR与WE相接，P2.5与CE1相接，6264的A0~A12与系统地址总线A0~A12相接，D0~D7与89C51的P0口相接。这样，89C51扩展了8KB的外部数据存储器，地址为0000H~1FFFH。;二、同时扩展程序存储器和数据存储器 下图给出了一个系统同时扩展程序存储器和数据存储器的例子。 27512为64KB EPROM,62256为32KB RAM。这样，系统共扩展了64K程序存储器、64K数据存储器。其地址为：U1：27512程序存储器，地址为：0000H~FFFFHU2：62256数据存储器，地址为：0000H~7FFFHU3：62256数据存储器，地址为：8000H~FFFFH;一、硬件电路设计 二、控制程序的编写 三、程序仿真与调试;（一）设计思路 本设计使用AT