1-4场效应管1111111111讲义教材.pptVIP

1.5 场效应管;1.5.1 MOS场效应管;N 沟道;（1）N沟道的形成及导电过程;当栅极加有电压时;加入VGS;进一步增加VGS;随着VGS的继续增加，反型层加宽，在漏源间形成载流子流通通道——沟道。;①;VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布;预夹断：漏端沟道被夹断,相当于VDS 增加使漏极处沟道缩减到 刚刚开启的情况;夹断区域(A—A′)加长，移向 S 极;;（2）输出特性曲线：描述MOS场效应管的特性主要特性曲线;非饱和区（可变电阻区）;沟道电导：;饱和区（放大区）;饱和区，vDS 对沟道长度有调节作用，使输出???性曲线略微上翘。;截止区;击穿区;(3) 转移特性曲线;vDS 增加电流增大; N沟道耗尽型MOS是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。 ;正离子已经在漏源之间感应出反型层，形成了沟道。;漏极电流的产生;——夹断电压;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;输出特性;N 沟道增强型 MOS 管转移特性;得;1.5.2 结型场效应管;(2) 工作原理; *耗尽层的宽度改变主要在沟道区; 3 ) 在漏源极间加正向 VDD，使 vDS 0;2. 结型场效应管的伏安特性曲线;（2）转移特性;饱和区场效应管的导电沟道;场效应管的两组特性曲线之间互相联系，由漏极特性用作图可得到相应转移特性;各类场效应管的符号和特性曲线;1.5.4 场效应管的转移特性与电路模型; 2.场效应管的小信号等效电路 ;由场效应管工作原理知：;跨导;在小信号条件下;微变等效电路（受控电压源电路）;简化的微变等效电路;FET的高频模型;1.5.5 场效应管的主要参数及FET与三极管的比较;夹断电压是耗尽型FET的参数，;3） 直流输入电阻 RGS;交流参数;绝缘栅耗尽型场效应三极管;结型场效应三极管:;由;2） 极间电容;极限参数;3） 漏源击穿电压 V(BR)DS;双极型和场效应型三极管的比较;基本概念