精选幻灯片二极管和三极管原理.ppt

B E C I B I E I C NPN 型三极管 B E C I B I E I C PNP 型三极管 制成晶体管的材料可以为硅或锗 31 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：很薄， 面积小，掺杂 浓度低 集电区：面 积大，掺杂 浓度中 发射区：掺 杂浓度高 32 B E C N N P V BE R B V CE I E 进入 P 区的电子 少部分与基区的 空穴复合，形成 电流 I BE ，多数扩 散到集电结，形 成电流 I CE 。 R C I BE 发射结正偏， 发射区电子不 断向基区扩散， 形成发射极电 流 I E 。 I CE 33 I B = I BE - I CBO ? I BE I C = I CE + I CBO ? I CE B E C N N P E B R B E C I E I CBO I CE I BE I CBO ：发射极开路时集电结反向饱和电流 34 晶体管中的载流子运动和电流分配 35 JFET Joint Field Effect Transistor 中文名称： 结型场效应管 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 中文名称： 绝缘栅型场效应管，或称金属氧化物半导体场效应管 场效应管有两种 : 四、场效应管（ Field Effect Transistor ） 36 1 、结型场效应管（ JFET ） 具体分为： ① N 沟道结型场效应管 ② P 沟道结型场效应管 37 ① N 沟道结型场效应管 D G S D G S N P P G （ g rid ） S （ s ource ） D （ d rain ） 基底 :N 型半导体 两边是 P 区 导电沟道 38 P N N G （ g rid ） S （ s ource ） D （ d rain ） ② P 沟道结型场效应管 D G S D G S 39 P G S D U DS U GS N N I D 工作原理（以 P 沟道为例） 设 U DS =0V PN 结反偏， U GS 越大则 耗尽区越宽， 导电沟道越 窄。 当 U GS 比较小时，耗尽区宽 度有限，存在导电沟道。 DS 间相当于线性电阻。 ① 栅源电压 U GS 对导电沟道的影响 40 第二讲 逻辑门电路－附 1 一、半导体的基本知识 2 1 、半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为 半导体。最常用的半导体为硅 (Si) 和锗 (Ge) 。它 们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电 子数为 4 。 + + Si Ge 3 2 、半导体材料的特性 纯净半导体的导电能力很差； 温度升高 —— 导电能力增强； 光照增强 —— 导电能力增强； 掺入少量杂质 —— 导电能力增强。 4 3 、本征半导体 经过高度提纯（ 99.99999% ）的单一晶格结 构的硅或锗原子构成的晶体，或者说，完全纯净、 具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体的特点是： 原子核最外层的价电子是 四个，是四价元素，它们 排列成非常整齐的晶格结 构 。所以半导体又称为 晶 体 。 5 4 、本征半导体的导电性能 4.1 价电子与共价键 在本征半导体的晶体结构中， 每一个原子与相邻的四个原 子结合。每一原子的一个 价 电子 与另一原子的一个 价电 子 组成一个电子对。这对价 电子是每两个相邻原子共有 的，它们把相邻的原子结合 在一起，构成所谓 共价键 的 结构。 共价键 6 硅原子 共价键 价电子 价电子受到 激发 ，形成 自由电子并留下空穴。 半导体中的自由电子和 空穴都能参与导电 —— 半导体具有两种载流子。 这是与金属导体的一个 很大的区别，金属导体 只有电子一种载流子。 自由电子和空穴 同时产生 空穴 4.2 自由电子与空穴 7 ? 在价电子成为自由电子的 同时，在它原来的位置上 就出现一个空位，称为空 穴。空穴表示该位置缺少 一个电子，丢失电子的原 子显正电，称为正离子。 ? 自由电子又可以回到空穴 的位置上，使离子恢复中 性，这个过程叫复合。 硅原子 共价键 价电子 产生与复合 8 4.3 空穴流与电子流 在外电场的作用下，有空穴的原子可以吸引相邻原子中 的价电子，填补这个空穴。同时，在失去了一个价电子的相 邻原子的共价键中出现另一个空穴，它也可以由相邻原子中 的价电子来递补，而在该原子中又出现一个空穴。如此继续 下去，就好像空穴在移动，空穴的运动形成了空穴流，其方 向与电流方向相同。打一个通俗的比方，好比大家坐在剧院 看节目，若一个座位的人走了，出现一个空位，邻近座位的 人去递补这个空位并依次递补下去，看起来就像空位子在运 动一样。而原子中自由电子的运动，则好像剧院中没有位置