3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈地磁场.pdfVIP

实用文案 3.10 霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。 1879 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象， 故 称霍尔效应。 后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器， 但因金属的霍 尔效应太弱而未能得到实际应用。 随着半导体材料和制造工艺的发展， 人们又利 用半导体材料制成霍尔元件， 由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展， 现在广 泛用于非电量的测量、 电动控制、 电磁测量和计算装置方面。 在电流体中的霍尔 效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不 断有新发现。 1980 年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特 性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应， 这是凝聚态物理领域最重要的发现 之一。 目前对量子霍尔效应正在进行深入研究， 并取得了重要应用， 例如用于确 定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的， 利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 【实验目的】 1、测量单个通电圆线圈中磁感应强度； 2 、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度； 3 、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度； 4 、测量通电圆线圈轴线外各点的磁感应强度。 【实验仪器】 DH4501N 型 三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪一套 【实验原理】 1 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒 图 3-10-1 子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏 转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在 固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流 和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的 聚积，从而形成附加的横向电场。如右图 3-10-1 所示，磁场 B 位于 Z 的正向，与 之垂直的半导体薄片上沿 X 正向通以电流 Is （称为工作电流），假设载流子为电 子（ N 型半导体材料），它沿着与电流 Is 相反的 X 负向运动。 由于洛仑兹力 f L 作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于 y 轴负方向的 B 标准文档 实用文案 侧偏转，并使 B 侧形成电子积累，而相对的 A 侧形成正电荷积累。与此同时运 动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f E 的作用。随着电 荷积累的增加， f E 增大，当两力大小相等（方向相反）时， f L= －f E，则电子 积累便达到动态平衡。这时在 A 、B 两端面之间建立的电场称为霍尔电场 E ， H 相应的电势差称为霍尔电势 V H 。 设电子按均一速度 V ，向图 3-10-1 所示的 X 负方向运动，在磁场 B 作用下， 所受洛仑兹力为： f L= －eV B 式中：