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实验二 光敏二极管特性实验 实验目的 ： 1、熟悉光敏二极管的结构和光电转换原理； 2、掌握光敏二极管的暗电流及光电流的测试方法； 3、了解光敏二极管的特性，当光电管的工作偏压一定时，光电管输出光电流与入射光的照 度（或通量）的关系。 实验原理 : 敏二极管是一种光生伏特器件， 光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的， 也具有 单向导电性。 光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管， 无光照时， 有很小的 饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当光敏二极管被光照时，满足条件 h v ≧Eg 时，则在结区产生的光生载流子将被内电场拉开，光生电子被拉向 N 区，光生空穴被 拉向 P 区，于是在外加电场的作用下形成了以少数载流子漂移运动为主的光电流。显然， 光电流比无光照时的反向饱和电流大得多， 如果光照越强， 表示在同样条件下产生的光生载 流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。光敏二极管工作原理见图 2-1 。 图 2-1 光敏二极管工作原理图 实验所需部件 : 光敏二极管、 稳压电源、 负载电阻 （实验选配单元中可变电阻） 、遮光罩、 光源、 电压表 （万 用表）、微安表（万用表上的 200mA 档） 实验步骤 : 按图 2-3 接线 ,要注意光敏二极管是工作在反向工作电压的。由于硅光敏二极管的反向电流 非常小，所以应视实验情况逐步提高工作电压，如有必要可用稳压电源上的± 10V 或± 12V 串接。 1. 暗电流测试 用遮光罩盖住光电器件模板 ,选择合适的电路反向工作电压，选择适当的负载电阻。打 开仪器电源， 调节负载电阻值， 微安表显示的电流值即为暗电流， 或用 4 1/2 位万用表 200mV 档测得负载电阻 R 上的压降 U 暗， 则暗电流 L 暗 =U 暗/R 。一般锗光敏二极管的暗电流要大于 硅光敏二极管暗电流数十倍。 可在试件插座上更换 其他光敏二极管进行测试做性能比较。 2. 光电流测试 缓慢揭开遮光罩， 观察微安表上的电流值的变 化 , （也可将照度计探头置于光敏二极管同一感光处，观察当光照强度变化时光敏二极管光 电流的变化） 或是用 4 1/2 位万用表 200mV 档测得 R 上的压降 U 光 ,光电流 L 光 =U 光 /R 。如光 电流较大，则可减小工作电压或调节加大负载电阻。 3. 伏安特性测试实验 按图 3-2 连接实验线路 , 光源选用高亮度卤素灯 , 分别调节至 “弱光”、“中光”和 “强光” 图 2-3 光敏二极管测试电路 三种照度。 负载电阻用万用表确定阻值 1K 欧姆。 图 3-2 光敏二极管测试电路 将可调光源调至一种照度， 每次在该照度下， 测出加在光敏二极管上的各反向偏压与产 U R 生的光电流的关系数据，其中光电流 I ph （1KΩ为取样电阻） ，在三种光照度下 1.00K 重复上述实验。整理数据做出光敏二极管的伏安特性测试数据表。 根据实验数据画出光敏二极管的伏安曲线。 图 2-4 光敏二极管的伏安特性曲线 光敏二极管的光照特性亦呈良好线性， 这是由于它的电流灵敏度一般为常数。 而光敏三 极管在弱光时