第四章-硅锗晶体中的杂质和缺陷电子教案.pptVIP

半导体材料;第四章  硅/锗晶体中的杂质和缺陷;;二、杂质对材料性能的影响;三、硅锗晶体的掺杂;单晶生长时，杂质分布不均匀会造成横向和纵向电阻率不均匀;2. 径向电阻率均匀性的控制;晶体生长的固液界面，由于受坩锅中熔体等温线的限制，常常是弯曲的。如果在晶体生长时迅速提起晶体，在原子密排面的固液界面会出现一小片平整的平面，称之为小平面。;二、水平区熔拉晶时杂质的控制 （区域匀平法）;根据导电类型和电阻率的要求选择掺杂元素 轻掺杂（1014～1016，在功率整流级单晶）、中掺杂（1016～1019，晶体管级单晶）、重掺杂（大于1019外延衬底级单晶） 根据杂质元素在硅、锗中的溶解度选择 固溶度是指杂质在一定温度下能溶入固体硅中的最大浓度。 三、五族元素在硅中的固溶度较大。 杂质原子半径越大，特征原子构型与锗、硅的越不同，它们在锗、硅中的固溶度越小。 根据分凝系数选择 分凝系数远离1的杂质难于进行重掺杂 ;根据杂质在晶体中的扩散系数选择 在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小些好 快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag, Si 慢扩散杂质：Al,P,B,Ca, Ti, Sb，As 根据杂质元素的蒸发常数选择 快蒸发杂质的掺杂不宜在真空而应在保护性气氛下进行 尽量选择与锗、硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂