IGBT的芯片结构及其失效模式分析演示幻灯片.ppt

IGBT 内部结构及常见失效 模式 主要内容 一、 IGBT 的结构 二、 IGBT 常见的失效模式 三、 QA 一、 IGBT 的结构 1. 芯片结构和特征 2.IGBT 芯片结构的变迁 平面型发展方向： 平面型 → 沟槽型 → 软沟槽型 垂直发展方向： 穿透 → 非穿透 → 场终止 图 1.3 IGBT 芯片发展历程 – (ABB 第 1 代 ) – “ 128 ” – 正温度系数 – 软穿通 – 最大结 Tj=150 ° C – (Infineon 第 3) – “ T3 ” – 正温度系数 – “ 场终止” – 最大结 Tj=150 ° C n + n - collector Gate Emitter Trench-IGBT p + 135 μ m n + p n + n - Collector Gate Emitter Trench4 IGBT p + 125 μ m n + p – (Infineon 第 4 代 ) – “ T4 ” – 正温度系数 – 场终止 – 最大结 Tj=175 ° C – 开关损耗降低 30% n+ n - Collector Gate Emitter SPT-IGBT p + p n 135 μ m IGBT 模块的封装工序流程 ： 芯片和 DBC 焊接邦线 → DCB 和铜底板焊接 → 安装外壳 → 灌注硅胶 → 密封 → 终测 3.IGBT 芯片的结构和封装流程 图 1.4 IGBT 模块构造图 图 1.5 IGBT 模块封装图 典型三电平主回路拓扑结构 1. 图示 8 处插入铜排，引出的为 1 管 的集电极（ C 级） 2. 图示 5 处接 1 管的集电极 3. 图示 4 处接 1 管的门极（ G 级） 4. 图示 3 处接 1 管的发射极（ E 级） 同时为 2 管的集电极（ C 极） 同时为钳位二极管的负端 5. 图示 9 处接钳位二极管的正端 6. 图示 1 处接 2 管的门极（ G 级） 7. 图示 2 处接 2 管的发射极（ E 级） 8. 图示 10 处接 2 管的发射极（ E 级） 9. 图示 6 、 7 两端接热敏电阻的两端 2 4 8 3 5 2 1 6 7 9 10 接线图横 七单元系列 六单元系列 两单元系列 二、 IGBT 常见的失效模式 ? 1. IGBT 失效机理 和其它任何功率半导体器件一样， IGBT 工作 的应用可靠性极大程度上依赖于对结温 TJ 的控制， 其失效率随结温的递增几乎呈指数递增的关系。 因此 , 过温失效是 IGBT 的最重要失效模式。 为了获得尽可能低的通态压降， IGBT 选用的 硅单晶电阻率及设计的芯片基区宽度都是被控制 在尽可能小的范围，这决定了 IGBT 的集电极额定 击穿电压并不像工频器件那样可有较大的余量， 因此当 IGBT 承受的电压超过其额定值时极有可能 造成永久性损坏 —— 电压击穿失效。 当 IGBT 关断过高的脉冲集电极电流 ICM 时同 样可能产生较高的集电极电压 VCE 而产生电压击 穿失效。多数器件制造商推荐的 IGBT 工作电压 VCE 的上限值为 80 ％额定电压。 IGBT 的栅极和 MOSFET 一样多属于 MOS （金属 - 氧化物 - 半导体）结构，当栅极引入过电 压时可导致栅氧层的缺陷产生或直接击穿而使 IGBT 失效 —— 栅极过电压失效。另外，当 IGBT 栅 极引入高电压时，集电极电流会跟随变大，关断 这个电流而产生的集电极过电压（ VCE ）有可能 使集电极产生击穿 —— 栅极过电压引起的集电极 过电压失效。 ? 2. 常见的失效原因 ①过电压： VCE 过电压 * 关断浪涌电压 * 母线电压上升 * 控制信号异常 * 外部浪涌电压（雷电浪涌等） VGE 过电压 * 静电 * 栅极驱动回路异常 * 栅极振荡 * 与高压相连 * 外部浪涌 ②过流、热失效： 散热设计不完善 短路 过电流 栅极电压欠压 极配线开路 开关频率异常增加 开关时间过长 散热不良 ③功率循环与热循环： 过大的温度变化 过频繁的温度变化 3. 一些失效案例 A 、过压失效 IGBT 芯片耐压环位置损坏严重 IGBT 芯片耐压环位置损坏严重 故障点靠近硅片边沿或传感器 , 其电场较强。 3. 一些失效案例 A 、过压失效 故障点靠近硅片边沿或传感器 , 其电场较强。 综述： IGBT 芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点， 当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1 、输出短路或输出接地； 2 、母线铜牌打火导致浪涌电流； 3 、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏） B 、过流失效 故障点集中于绑定线区域，因为短路电流流向是从背 部的‘ C 到绑定线部位