MOS场效应管的特性演示幻灯片.ppt

31 两点说明 ? 有源器件的噪声特性对于小信号放大器、 振荡器等模拟电路至关重要 ? 所有的 FET 的 1/f 噪声都高出相应的 BJT 的 1/f 噪声约 10 倍。 32 5.4 MOSFET 尺寸按比例缩小 ? 为了提高器件集成度和性能， MOS 管的尺寸迅速减小 ? 为了在缩小器件尺寸的同时，同时保持大尺寸器件的 电流 - 电压特性不变， Dennard 等人提出了等比例缩小 规律 ? 等比例缩小规律即器件水平和垂直方向的参数以及电 压按同一比例因子 K 等比例缩小，同时掺杂浓度按比例 因子增大 K 倍，这就是经典的恒电场等比例缩小规律 ? 等比例缩小方案： ? 恒电场 ? 恒电压 ? 准恒电压 33 恒电压缩减方案 参数 变化因子 备注 电压 1 /α 电路密度 α 2 L↓ 和 W ↓ 器件电流 1 /α 功率 1 /α 2 I ds ↓ 和 V ds ↓ 电容 1 /α 沟道延迟 1 /α 连线电阻 α 连线电容 1 /α 连线响应时间 1 R↑ 且 C↓ 优值 α 2 ∝ 1/L 2 34 MOSFET 特征尺寸按 α 缩减的优点 ? 电路密度增加到 α 2 ? 功耗降低为 1/ α 2 ? 器件时延降低 α 倍 ? 器件速度提高 α 倍 ? 线路上的延迟不变 ? 优值增加 α 2 倍 35 未来的 MOSFET 25 nm FINFET MOS transistor 36 5.5 MOSFET 的二阶效应 ? 随着 MOS 的尺寸缩小，出于精度要求必 须考虑二阶效应 ? 二阶效应主要有 ? L 和 W 的变化 ? 迁移率的退化 ? 沟道长度的调制 ? 短沟道效应引起的阈值电压的变化 ? 狭沟道效应引起的阈值电压的变化 37 L 的变化 N+ 多晶硅 N+ L L drawn L final 38 L 的变化 ? 栅极长度 L 不等于原先版图上所绘制的 L draw ? L final =L draw -2 ΔL poly ? L= L draw -2 ΔL poly- 2 ΔL diff ? 由于重叠效应， C gs 和 C gd 也增加 1 MOS 场效应管的特性 2 上次课：第 4 章 集成电路器件工艺 § 1. 引言 § 2. 双极型集成电路的基本制造工艺 § 3. MESFET 工艺与 HEMT 工艺 § 4. CMOS 集成电路的基本制造工艺 § 5. BiCMOS 集成电路的基本制造工艺 3 第五章 MOS 场效应管的特性 § 1. MOSFET 的结构和工作原理 § 2. MOSFET 的寄生电容 § 3. MOSFET 的其它特性 ? 3.1 噪声 ? 3.2 温度 ? 3.3 体效应 § 4. MOSFET 尺寸按比例缩小 § 5. MOSFET 的二阶效应 4 5.1 MOSFET 的结构和工作原理 ? 集成电路中，有源元件有 BJT 、 HBT 、 PMOS 、 NMOS 、 MESFET 和 HEMT ? 鉴于当前大多数集成电路采用 CMOS 工 艺制造，掌握 NMOS 和 PMOS 两种元件 特性对设计集成电路具有重要意义 5 MOS 管结构 6 MOS 管－符号和标志 D S G D S G G S D D S G NMOS Enhancement NMOS PMOS Depletion Enhancement B NMOS with Bulk Contact 7 MOS 管工作状态 n+ n+ p-substrate D S G B V GS + - Depletion Region n-channel 8 MOS 管特性推导 栅极电压所感应的电荷 Q 为 ge Q CV ? 这些电荷在源漏电压 V DS 作用下，在 t 时 间内通过长度为 L 的沟道，即 通过 MOS 管源漏间的电流为 2 d s d s L L L v E V ? ? ? ? ? ? 9 MOS 管特性推导 当 V gs － V T ＝ V ds 时，近漏端的栅极有效控制电压 V ge ＝ V gs － V T － V ds ＝ 0 ，感应电荷为 0 ，沟道夹断，电 流不会增加，此时 I ds 为饱和电流。 2 2 2 1 ( ) 2 1 ( ) 2 ge ox D S ge ds ox ds ox gs T ds ds ox ox gs T ds ds ox C V W L Q I V V L t L V W V V V V t L W V V V V t L ? ? ? ? ?? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? g g g 10 MOS 管饱和时 n+ n+ S G V GS D V DS > V GS - V T V GS - V T + - 11 MO