第6章金属有机物化学气相沉积[文字可编辑].pptVIP

第六章 金属有机物化学气相沉积 ? 第一节 金属有机物化学气相沉积概述 ? 一、金属有机物化学气相沉积简介 ? 金属有机物化学气相沉积（ metalorganic chemical vapor deposition ，简称 MOCVD ），是利用金属有机 化合物进行化学反应的气相沉积，这种沉积形成的可 以是单晶层、多晶层或纳米结构等。因为此项技术多 用于外延生长而又被称为金属有机物气相外延 （ metalorganic vapor phase epitaxy ，简称 MOVPE ）。 二、金属有机物化学气相沉积反应机理 MOCVD 是利用金属有机化合物源（简称 MO 源）进行 金属输运的一种气相外延生长技术，其原理是：利用 载气（通常为反应惰性的 H 2 、 N 2 、 Ar 等）把 MO 源和 其它反应气体源携带到反应室中， MO 源和其它反应 气体在加热衬底上方发生化学反应，经过在气相和 气 — 固界面发生的一系列化学和物理变化，最终在衬 底表面上生成外延层。 MOCVD 之所以受到人们的重视是因为它具有 下列特点： （ 1 ）用来生长化合物晶体的各组分和掺杂剂 都是以气态通入反应室的，因此，可以通过精确控 制各种气体的流量来控制外延层的组分、导电类型、 载流子浓度、厚度等特性，可以生长薄到几个埃的 薄层和多层结构。 （ 2 ）反应室中的气体流速快，因此，在需要 改变多元化合物的成分和杂质浓度时，反应室中的 气体改变是迅速的，从而可以做到多层结构界面和 杂质分布陡峭，这对于生长异质和多层结构无疑是 个很大的优点。 （ 3 ）晶体生长是以热分解方式进行的，是单温区外 延生长，只要将衬底温度控制到一定温度就行了， 因此便于多片和大片外延生长，有利于批量生产。 （ 4 ）对于 Ⅲ － V 族晶体的生长，其速率与 III 族源 （或 V 族源）的供给量成正比，因此改变输运量，就 可以大幅度地改变外延生长速度（ 0.05~3m/min ）。 （ 5 ）源及反应产物中不含有 HCl 一类腐蚀性的卤化 物，因而生长设备和衬底不容易被腐蚀。 MOCVD 系统根据反应室的工作压力可分为常压 MOCVD （ AP － MOCVD ）和低压 MOCVD （ LP － MOCVD ）。 相比于常压 MOCVD ，低压 MOCVD 还具有如下优点： （ 1 ）有助于消除反应室内热对流； （ 2 ）抑制有害的寄生反应和气相成核； （ 3 ）减弱来自衬底的自掺杂； （ 4 ）可以使用较低的生长温度； （ 5 ）可以使用较低蒸汽压的源材料。 ? MOCVD 是利用热能来分解化合物的一种气相外 延生长方法，因此作为含有化合物半导体元素的源 材料化合物应满足以下条件： ? （ 1 ）在常温左右较稳定且容易处理； ? （ 2 ）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应 污染生长层； ? （ 3 ）为适应气相生长，在室温左右应具有适当的 蒸气压（≥1Torr）。 ? MOCVD 生长过程是按下列步骤进行的： ? （ 1 ）反应物从其在反应室的出口到反应衬底的输 运； ? （ 2 ）反应物通过扩散，穿过边界层到达衬底表面； ? （ 3 ）反应物分子吸附在高温衬底表面上； ? （ 4 ）吸附分子间或吸附物与气体分子间发生化学 反应生成生长晶体的原子，同时生成气体副产物； ? （ 5 ）生成的生长晶体的原子沿衬底表面扩散，到 达衬底表面上晶格的某些折角或台阶处结合进入晶 体点阵中； ? （ 6 ）副产物从表面解吸扩散穿过边界层进入主气 流中被排出系统。 ? 一般来说，对 MO 源有如下要求： ? （ 1 ）室温下为液体，具有适当且稳定的蒸气压， 以确保精确并可重复的控制输入反应式的源的计量。 ? （ 2 ）适宜的热分解温度。由于外延生长温度受限 于源的分解温度，在很多情况下要求 MO 源具有低的 热分解温度，以便在外延生长温度下 MO 源基本能够 完全分解，以提高源的利用率。 ? （ 3 ）易于合成和提纯。 ? （ 4 ）反应活性较低，不易与其它参与反应的其它 源发生预反应。 ? （ 5 ）毒性低。 ? 第二节 金属有机物化学气相沉积设备 ? 一、金属有机物化学气相沉积设备组成 ? MOCVD 系统一般包括源气体处理系统、反应室、 尾气处理和控制系统。 ? 1. 气体处理系统 ? 气体处理系统的功能是向反应室输送各种反应剂， 并精确控制其浓度、送入的时间和顺序以及流过反应 室的总气体流速等，以便生长特定成分与结构的外延 层。 ? 2 ．反应室 ? 早期的反应室一般由石英管和反应基座组成，之后 随着机械加工技术的进步逐渐开始使用不锈钢作为 反应室腔体。反应基座由石墨或高纯钼等耐高温材 料制作。石墨基座一般由高纯石墨制作，并包覆 SiC 层以保护石墨材料。为了获得组份均匀