日盲紫外光电探测器讲解.ppt

APD 结构 31 APD 结构 32 日盲紫外光电探测器 1 紫外光波长小于 280NM [1] 能够对紫外光辐射进行接收和探测的 器件 [1] 什么是日盲紫外光电探测器？ 2 什么是日盲紫外光电探测器？ 3 理想日盲紫外光电探测器的特点 1. 对于波长长于 280nm 的光没有响应 [1] 2. 量子效率和灵敏度比较高 [1] 3. 抗辐射性能和化学稳定性超强 [1] 4. 背景噪声比较低 [1] 5. 探测区域广阔 [1] 4 MgZnO [1] 4H-SiC [1] GaN /AlGaN [1] 日盲紫外光电探测器的制备材料 5 能在高温度和高能量下工作 [1] 光电材料 , 量子效率很低 , 带隙不可调制 [1] 4H 一 SIC 4H 一 SIC ：间接带隙 , 带隙为 3.26eV [1] 高熔点 (28300C) [1] 高热传导性 (4.9 一 SW/cm.k) [1] 6 4H-SiC 7 4H 一 SIC 采用 4H-SiC 已经成功制备了肖特基势垒光电 二极管、 MSM 光电探测器、 PIN 光电探测器和 APD 等 [2] 8 具有匹配的单晶衬底 [4] 生长温度较低 (100 一 7500e) [4] 带隙可调范围 (3.37 一 7.sev) [4] 抗辐射能力强（ 8 ） [4] 成本低 , 原料丰富 [4] 利于制备高性能的日盲紫外探测器， MgZnO 三元合 金材料可以应用在从 200-370nm 很宽的紫外光波段 [4] 镁锌氧 (MgZnO) 9 镁锌氧 (MgZnO) 10 镁锌氧 (MgZnO) 11 GaN 特点： 1. 直接带隙 [3] 2. 强的化学稳定性 [3] 3. 抗辐射性强 [3] 4. 可掺铝调节带隙 [3] （ 3.44eV(GaN)--6.2eV(AIN) ） 氮化稼 / 铝稼氮 (GaN/AIGaN) 12 氮化稼 / 铝稼氮 (GaN/AIGaN) 探测器优点： 1. 性能高 [3] 探测从 20Onm--300nm, 暗电流值皮安 (PA)-- 飞安 , 2. 响应速度快 [3] 缺点： 1. 生长温度很高 [3] 2. 没有合适的匹配衬底 ,P 型掺杂 生长高质量高 AI 浓度的 AIGaN 薄膜仍存在 很大的困难 [3] 13 氮化稼 / 铝稼氮 (GaN/AIGaN) 14 氮化稼 / 铝稼氮 (GaN/AIGaN) GaN/AIGaN 是目前制备日盲 紫外光探测器的最好的材料 , 最 广泛的应用于宽带隙半导体紫外 探测器 [3] 目前取得了比较好的结果的国家 美国，土耳其和西班牙 [3] 15 MSM p-n p-i-n APD SAM 实现结构 16 MSM 结构 分为光电导型和肖特基型 [5] 光电导型工作原理：主要是利用光电导效应来制 备探测器 [5] 光电导效应： 自由态 加外电场 电流增大 内部电子束缚态 光照 MSM 结构 17 MSM 结构 肖特基型 工作原理： 1. 偏压 2. 紫外光照射 大量电子 - 空穴对 扩散或漂移运动 小的暗电流 实现较高的信噪比 适合用于制备高性能的紫外探测器 18 MSM 结构 19 MSM 结构 20 MSM 结构 优点 ： 1.MSM 光电探测器在紫外波段响应度较高 [5] 2. 肖特基型紫外光电探测器响应带宽大、噪