第1章 半导体器件习题及答案解读.doc

第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用√表示对,用×表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ） 10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） =20μA，因此推算出r=0.7V/20μA=35kΩ。（ ） /II=U16、有人测得某晶体管的U=0.7V，BBBEbeBE=5μA，因此认为在此工作点上的r=5.2kΩ。26mV/II大约为U17、有人测得晶体管在=0.6V，BBBEbe（ ） =10μA。考虑到当U=0V时I=0因此推算得到18、有人测得当U=0.6V，I BBEBBE?U0.6?0BE???60(k?)r （ ） be0??I10B二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 1 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有 很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷 7、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压 时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。（A．15% B．大于 1115% C．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。1（A．增大B．减小；C．基本不变） 2229、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A．上移 B．下移 C．不变）111说明此时反向电流________。（A．减小 B．增大 C．不变）. 22210、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 1.13 图图1.10 图1.11 。当温U=0.7V时测得二极管的电压11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20CD 的大小将是[ ] 度上生到为40C时,则UD 不能确定A.仍等于0.7V B.大于0.7V