硅片平整度知识介绍 文档资料.ppt

硅片平整度知识讨论 IQC 2006-4-20 硅片平整度知识讨论 主要内容如下： 1 、硅片平整度定义； 2 、硅片平整度测量； 3 、硅片平整度规范 4 、硅片使用中异常举例 平整度 SEMI 标准 关键字注释 习惯用语 SEMI 标准用语 新 SEMI 标准 关键字注释 TTV GBIR Global flatness back ideal range TIR GFLR Global flatness front least-squares range STIR SFQR Site flatness front least-squares range LTV SBIR Site flatness back ideal range FPD GFLD GF3D Global flatness front least-squares deviation Global flatness front 3 point deviation TTV(Total Thickness Variation) 定义： TTV = a – b ( SEMI 标准中为 GBIR ) 说明： 1. 参考平面 B 为 Wafer 背面 TIR(Total Indicator Reading ) 定义： TIR = |a| + |b| ( SEMI 标准中为 GFLR ) 说明： 1. 参考平面 (bf) G 为距上表面所有点截距之和最小的平面； FPD(Focal Plane Deviation) 定义： FPD = ± Max ( |a| , |b| ) ( SEMI 标准中为 GFLD ) 说明： 1. 如果 |a| |b| ，则 FPD 取正值；反之取负值； 2. 参考平面 G (bf) 为距 Wafer 上表面所有点截距之和最小的平面； Warp 定义： Warp=| a | + | b | 说明： 1. 参考平面 M 为距曲面 Median plane 所有点截距之和最小的平面； 2. 不考虑重力影响； Bow 定义： Bow=1/2 * ( b -f ) 说明： 1. 参考平面 W 以 Wafer 上三点确定，此三点组成一等边三角形 2. 凸的 Wafer Bow 值为正，凹的 Wafer Bow 值为负； 3mm 120 ° 120 ° LTV(Local Thickness Variation) 定义： LTV i = a i – b i i=1,2,3,4,...,n( SEMI 标准中为 SBIR ) 说明： 1. 参考平面 B 为 Wafer 背面； 2.LTV max= Max( LTV 1 , LTV 2 ,...,LTV n ) STIR(Site Total Indicator Reading) 定义： STIR i = | a i |+ | b i | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI 标准中为 SFLR ) 说明： 1. 参考平面 G i 通过每一单元块的中心且平行于 wafer 上表面的拟合平面 bf G ； 2.G 为距单元块上每一点截距最小的平面； 3.STIR max= Max( STIR 1 , STIR 2 ,..., STIR n ) ； STIR/L- Site(Site Total Indicator Reading) 定义： STIR i /L= | a i |+ | b i | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI 标准中为 SFQR ) 说明： 1. 参考平面 bf G i 为距单元块上每一点截距最小的平面； 2. STIR i /L max= Max(STIR 1 /L , STIR 2 /L ,..., STIR n /L ) ； SFPD/L-Site 定义： SFPD i /L= ± Max( | a i |, | b i | ) i=1,2,3,4,...,n ( SEMI 标准中为 SFQD ) 说明： 1.| a | | b | , 取正值； | a | | b | , 取负值； 2. 参考平面 bf L i 为距单元块上每一点截距最小的平面； 3. SFPD /L max= Max(SFPD 1 /L, SFPD 2 /L,..., SFPD n /