MOS器件阈值电压解读.ppt

§ 1 、 MOSFET 的物理结构、工作原理和类型 § 2 、 MOSFET 的阈值电压 § 3 、 MOSFET 的直流特性 § 4 、 MOSFET 的动态特性 § 5 、小尺寸效应 MOSFET 阈值电压的定义 在正常情况下， 栅电压产生的电场控制 着源漏间沟道区内载流子的产生 。使沟 道区源端强反型时的 栅源电压 称为 MOS 管的 阈值电压 。 NMOS 的阈值电压用 V Tn 表示， PMOS 的阈值电压用 V Tp 表示。 阈值电压： Threshold voltage MOS 电容的阈值电压（ 1 ） GB V P-Si B G O x Y 2 SiO Metal 耗尽层的厚度 耗尽层单位面间的电荷 反型层的厚度 反型层单位面积的电荷 半导体表面电荷 栅电荷 i Q b Q d x c x s Q m Q ox s ox m ox s ox FB GB b i S S m C Q C Q V V V V Q Q Q Q Q ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 0 X E s ? ox v GB V P-Si B G O x Y 2 SiO X E s ? ox v Metal 半导体表面强反型时 的栅体电压称为 MOS 电容的阈值电压 V T ox b f FB T C Q V V max 2 ? ? ? ? ox ms FB C Q V V 0 ? ? ? f B si d B b qN x qN Q ? ? ? 2 2 0 max max ? ? ? ? ) ln( i B B f n N q T k V ? MOS 电容的阈值电压（ 2 ） s f E i E c E V E m f E 0 ?? G V c x max d x s ? f ? x MOS 电容反型时能带图 MOSFET 与 MOS 电容的不同（ 1 ） MOS 电容 ? 表面电场由栅电 压控制，半导体表 面处于平衡态，有 统一的费米能级。 表面空间电荷沿 Y 方向均匀分布。 MOSFET ? 栅下的电荷受栅电压产生的纵向电场 E X 、 源漏电压产生的横向电场 E Y 的共同作用， 是一个二维问题 * 。 ? V DS 、 V BS 使半导体表面势、表面电荷、表 面反型层和耗尽区厚度都随 Y 变化。 ? 沿 Y 方向有电流流动，表面处于非平衡态， 反型层与体内不再有统一的费米能级。 MOSFET 与 MOS 电容的不同（ 2 ） MOSFET 与 MOS 电容的不同（ 3 ） V GS V T n+ n+ V DS 0 p-substrate Channel S B I DS V BS NMOS 反型层和耗尽区 如何得到 ？ 、 ) ( ) ( y Q y s s ? 在一定的近似条件下求解二维泊松方程： si y x y y x x y x ? ? ? ? ? 0 2 2 2 2 ) , ( ) , ( ) , ( ? ? ? ? ? ? ? MOSFET 电压－电荷关系 ox s s FB GB C y Q y V V ) ( ) ( ? ? ? ? G radual C hannel A pproximation* 假定 y 方向（沿沟道方向）电场 E Y 的变化远小于相应 的 X 方向（垂直于沟道方向）电场 E X 的变化 。其数学 表示式为 缓变沟道近似（ GCA ） 2 2 2 2 X Y X E Y E X Y ? ? ?? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? 对于长道器件， GCA 近似除在漏端附近不成立外， 在沿沟道方向的大部分区域都是有效的。 GCA 近似 使泊松方程变成一维的，这意味着 MOS 电容的电荷 方程，做一些简单修正，就可适用于 MOSFET 以 NMOS 为例。当栅压 V GS V TN , 在半导体表面形成 反型层。这时，在源漏端施加电压，形成源漏电流 , 沿沟道方向（ Y 方向）产生电压降 * 。 ? 其结果使 N 型沟道的能带连同其费米能级沿 Y 方 向发生倾斜 * 。原因： N 沟道与 P 型衬底之间电位 不同，即 N 沟道与 P 型衬底间的 PN 结处于反向偏 置，沟道与衬底之间不再有统一的费米费米能级 ? 设沟道任意点相对于衬底的电位为 V CB (y) ，那 么沟道区的电子准费米能级 E Fn 比衬底空穴的准 费米能级 E FP 低 qV CB (y) 。 MOSFET 的表面势（ 1 ） ) ( y qV CB fp E v E i E c E f q