热生长二氧化硅膜.pptVIP

二氧化硅膜的用途： 1. 作为掺杂的掩蔽膜； 2.MIS 栅介质膜； 3. 介质隔离； 4. 保护层或缓冲层。 SiO2 Si 4.1 二氧化硅膜的结构和性质 1. 结构特点：长程无序，短程有 序。 2. 组成单元：硅氧四面体。 3. 二氧化硅中也可能存在各种杂 质，如氢氧根（替代氧）；硼、 磷（替代硅）；钾、钠、钙、 钡、铅、铝（填隙杂质），从 而对其物理性质产生重要的影 响。 Si O 1. 硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二 氧化硅层，厚度约为 250 埃。 2. 如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气 气氛中加热。 3. 硅的氧化反应是发生在 Si/SiO 2 界面，这是 因为： Si 在 SiO 2 中的扩散系数比 O 的扩散 系数小几个数量级。 4.2 二氧化硅膜的制备方法 ? 制备二氧化硅膜的方法有：热生长氧化法、 化学气相沉积等。但目前主要使用的还是 热生长氧化法。 ? 热生长氧化法优点 ：致密、纯度高、膜厚 均匀等； ? 缺点 ：需要暴露的硅表面、生长速率低、 需要高温。 热生长二氧化硅的方法 1. 干氧法 ：硅和分子氧反应生成 SiO 2 特点：氧化速度慢，但氧化层致密。 2. 水汽氧化 ：硅和水汽反应生成 SiO 2 特点：氧化速度快，但氧化层疏松。 3. 湿氧法 ：硅同时和氧分子及水汽反应生成 SiO 2 特点：氧化速度介于干氧和水汽氧化之间。 4.3 迪尔－格罗夫氧化模型 J1 J2 J3 Cg Cs C0 Ci 1 ( ) g g s J h C C ? ? 2 o i o ox C C J D t ? ? ? 3 s i J K C ? ? o s s C HP HkTC ? ? 1 2 3 J J J ? ? 自由气 体层 C g －离硅片表面较远处氧浓度； C s －硅片表面处的氧浓度； C o －硅片表面氧化层中的氧浓度； C i －在 Si/SiO 2 界面处的氧浓度； h g －质量输运系数； D －是氧在 SiO 2 中的扩散系数； K s －是硅与氧反应生成 SiO 2 的化学反应速率常数； H －是亨利气体常数； P g －氧化炉内氧气的分压。 1 1 1 s g ox s s ox o Hk P dt J R N dt K K t N h D ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 氧化层生长速率为： 其中 N 1 是 SiO 2 中氧原子浓度（ 4.4 × 10 22 cm -3 ）除以 氧源中氧原子数量。（比如以 O 2 为氧源，则除以 2 ； 以 H 2 O 为氧源，则除以 1 ） 边界条件 ： T ＝ 0 时刻氧化层厚度假设为 t 0 ，则有： 2 ( ) ox ox t At B t ? ? ? ? 其中： 1 2 0 1 1 2 ( ) 2 s g g o A D k h DHP B N t At B ? ? ? ? ? ? 1 、若氧化层厚度足够薄： 2 、若氧化层厚度足够厚： ( ) ox B t t A ? ? ? ( ) ox t B t ? ? ? 反应速率控制 扩散控制 B/A 被称为线性速率系数；而 B 被称为抛物线速率系数 自然氧化层 1. 迪尔－格罗夫模型在 薄氧化层范围内 不适用。 2. 在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理 至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。 3. 由于薄氧化阶段的特殊存在，迪尔－格罗夫模 型需要用τ来修正。 硅（ 100 ）晶面干氧氧化速率与氧化层 厚度的关系 薄氧阶段的经验公式 其中： t ox 为氧化层厚度； L 1 和 L 2 是特征距离， C 1 和 C 2 是比例常数。 1 2 / / 1 2 2 ox ox t L t L ox ox dt B C e C e dt t A ? ? ? ? ? ? 硅的氧化系数 温度 ( ℃ ) 干氧 湿氧 A(μm) B(μm 2 /h) τ(h) A(μm) B(μm 2 /h) 800 0.37 0.0011 9 — — 920 0.235 0.0049 1.4 0.5 0.203 1000 0.165 0.0117 0.37 0.226 0.287 1100 0.09 0.027 0.076 0.11 0.51 1200 0.04 0.045 0.027 0.05 0.72 其中： τ 是考虑到自然氧化层的因素， 250? 左右。 计算在 120 分钟内， 920 ℃ 水汽氧化（ 640Torr ）过 程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状 态时已有 1000 埃的氧化层。 o 2 2 2 2 0 2 2 (0.1 0.1 = = 920 C A=0.50 m B=0.203 m /h m) +0.5 m m 0.203 0.295h ( ) A A 4