模拟电路二极管及其电路 课件.pptVIP

§ 3.3 半导体二极管 3.3.1 基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为 半导体二极管 。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN 结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 3.3.2 伏安特性 V I 死区电压 硅管 0.6V , 锗管 0.2V 。 导通压降 : 硅管 0.6~0.7V , 锗管 0.2~0.3V 。 反向击穿 电压 V BR ) 1 ( / ? ? T D V S D v e I i 3.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 I F 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大 正向平均电流。 2. 反向击穿电压 V BR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电 流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至 过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电 压 V WRM 一般是 V BR 的一半。 3. 反向电流 I R 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电 流。反向电流大，说明管子的单向导电性 差，因此反向电流越小越好。反向电流受 温度的影响，温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小，锗管的反向电流要比 硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是 主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数。 3.3.4 二极管的等效电路 1 ）微变电阻 r D i D v D I D V D Q ? i D ? v D r D 是二极管特性曲线上工 作点 Q 附近电压的变化与 电流的变化之比： 显然， r D 是对 Q 附近的微小 变化区域内的电阻。 D D D i v r ? ? ? 根据理论分析 , 二极管的电流与端电压 V D 存 在如下关系 : T D T D V T s D d V I V i v e V I dv di g T D D ? ? ? ? / ) ( ) ( 26 1 mA I mV I V g r D D T d d ? ? ? ) 1 ( ) 1 ( / / ? ? ? ? T D V S kT qv S D v e I e I i T D V S D v e I i / ? ? 2 ） 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成： 势垒电容 C B 和 扩散电容 C D 。 势垒电容： 势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时， 就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出 的电容是 势垒电容 。 扩散电容： 为了形成正向电流 （扩散电流），注入 P 区的少子 （电子）在 P 区有浓度差，越靠 近 PN 结浓度越大，即在 P 区有电 子的积累。同理，在 N 区有空穴的 积累。正向电流大，积累的电荷 多。这样所产生的电容就是扩散 电容 C D 。 P + - N C B 在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置 时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN 结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电 容的综合效应 r d 3.4.2 晶体二极管模型 对电子线路进行定量分析时，电 路中的实际器件必须用相应的电路模型 来等效，根据分析手段及要求的不同， 器件模型将有所不同。例如，借助计算 机辅助分析，则允许模型复杂，以保证 分析结果尽可能精确。而在工程分析中， 则力求模型简单、实用，以突出电路的 功能及主要特性。下面我们将依据二极 管的实际工作条件，引出工程上便于分 析的二极管模型。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性电阻 ( 导 ) 元件， 在大信号工作时，其非线性主要表现为 单向导电性，而导通后所呈现的非线性 往往是次要的。 v D i D o 二极管 理想 模型 理想二极管 v D 0 v D 0 1 2 应用条件： 电源电压远比二极管的管压降大 二极管 恒压降 模型 v D i D o V D 理想二极管 v D V D v D V D 1 2 应用条件： 二极管的电流 i D 近似等于或大于 1mA 二极管管压降 二极管 折线近似 及电路模型 v D V th v D V th v D i D o V