模拟电子教学资料第1章 第三节双极型三极管 精选文档.pptVIP

§ 1.3 双极型三极管 ? 三极管的结构与符号 ? 三极管的电流分配与控制 ? 三极管的伏安特性曲线 ? 三极管的主要参数 ? 三极管的型号 ? 三极管应用 1.3.1 三极管的结构与符号 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型 : NPN 型和 PNP 型。 e-b 间的 PN 结称为 发射结 (Je) c-b 间的 PN 结称为 集电结 (Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为 基极 ， 用 B 或 b 表示（ Base ）； 一侧称为发射区，电极称为 发射极 ， 用 E 或 e 表示（ Emitter ）； 另一侧称为集电区和 集电极 ， 用 C 或 c 表示（ Collector ）。 双极型三极管的符号中， 发射极的箭头 代表发射极电流的实际方向。 三极管的结构与符号 发射区的掺杂浓度大 ; 集电区掺杂浓度低，且集电结面积大 ; 基区要制造得很薄，厚度在几个微米至几十个微米。 NPN R C R b V CC V B B + _ I B I C I E V o 1.3.2 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的 直流偏置电压 。 若在放大工作状态： 发射结加正向电压， 集电结加反向电压， 如图所示。 V BB V CC 1 内部载流子运动形成的电流 在发射结正偏，集电结反偏条件下 ，三极管中载 流子的运动： (1) 发射区向基区 注入电子： 在 V BB 作用下，发 射区向基区注入 电子形成 I EN ，基 区空穴向发射区 扩散形成 I EP 。 I EN I EP 方向相 反 内部载流子运动形成的电流 (2) 电子在基区复合和扩散 电子向集电结扩散 少部分电子与基区空穴复合形成电流 I BN (3) 集电结收集电子 由于集电结反偏， 电子在电场作用下 漂移过集电结，到 达集电区，形成电 流 I CN 。 V BB V CC 内部载流子运动形成的电流 (4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子 —— I CN 基区的少数载流子 —— I CBO V BB V CC 电 流 分 配 与 控 制 （ 动 画 2 - 1 ） 内部载流子运动形成的电流 V BB V CC 电 流 分 配 与 控 制 （ 动 画 2 - 1 ） 内部载流子运动形成的电流 I E = I EN = I CN + I BN I C = I CN + I CBO I B = I BN － I CBO I E = I C + I B V BB V CC 三极管的电流放大系数 ? 对于集电极电流 I C 和发射极电流 I E 之间的 关系可以用系数 来说明，定义 : 称为 共基极直流电流放大系数 。 一般为 0.98~0.999 。 E CN I I / ? ? ? ? V B B V C C 三极管的电流放大系数 CBO E C I I I ? ? ? 引入 后，三极管的电流分配关系为： ? E C B I I I ? ? 当 很小的时候，则可得如下近似式： CBO I CBO E B I I I ? ? ? ) 1 ( ? E C I I ? ? E B I I ) 1 ( ? ? ? B C E I I I ? ? 三极管各极之间电流分配关系： ) 1 ( : : 1 : : ? ? ? ? B C E I I I V BB V CC 3 电流控制作用 三极管各级上的电流相互依赖，相互制约。 但是严格的讲，只能把 作为被控量， 或 作为控制量。 C I E I B I (1 ) 若以 控制 CBO E C I I I ? ? ? E C I I ? ? (2) 若以 控制 CB B C C I I I I ? ? ? ) ( ? C I C I E I B I 即 CBO B C I I I ) 1 1 ( 1 ? ? ? ? ? ? ? ?