2019年第7章光刻胶.pptVIP

1 、光刻工艺 - 前烘 ? 去水烘干 ? 去除硅片表面的水份 ? 提高光刻胶与表面的黏附性 ? 通常在 100 ℃ ? 与前处理同时进行 2 、光刻工艺 - 前处理 ? 防止显影时光刻胶脱离硅片表面 ? 通常使用：六甲基二硅胺（ HMDS ） ? 匀胶前 HMDS 蒸汽涂布 ? 通常和前烘一起进行 ? 匀胶前硅片要冷却 硅片冷却 ? 匀胶前硅片需要冷却到环境温度 ? 硅片在冷却板上冷却 ? 温度会影响光刻胶的黏度 ? 影响光刻胶的厚度 3 、涂胶 一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜 厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。 3) 甩掉多 余的胶 4) 溶剂挥发 1) 滴胶 2) 加速旋转 匀胶 ? 硅片吸附在真空卡盘上 ? 液态的光刻胶滴在硅片的中心 ? 卡盘旋转，离心力的作用下光刻胶扩散开 ? 高速旋转，光刻胶均匀地覆盖硅片表面 ? 先低速旋转 ~500rpm ? 再上升到 ~3000-7000rpm 黏度 ? 在固体表面的 流 动性 ? 影响匀胶厚 度 ? 与光刻胶的类型和温 度 有关 ? 高速旋转有 利 于匀胶的均匀性 ? 硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘 ? 排气系统：可控旋转马达；给胶管和给胶泵 ? 边缘清洗（去边） 边缘光刻胶的去除方法 ? a 、化学的方法（ Chemical EBR ）。软烘 后，用 PGMEA 或 EGMEA 去边溶剂，喷出少 量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻 胶有效区域； ? b 、光学方法（ Optical EBR ）。即硅片边缘 曝光（ WEE ， Wafer Edge Exposure ）。在 完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然 后在显影或特殊溶剂中溶解。 5 、曝光 4 、匀胶后烘（软烘） ? 使光刻胶中的大部分溶剂蒸发 ? 溶剂帮助得到薄的光刻胶膜但是吸收光并且影 响黏附性 ? 曝光后烘时间和温度取决于工艺条件 ? 过烘：聚合，光敏性降低 ? 后烘不足：影响黏附性和曝光 软烘条件控制的重要性 前烘的作用是去除胶中大部分溶剂，使胶的曝光性能稳 定。 胶在显影剂中的溶解速度极大地依赖于光刻胶中最 终的溶剂浓度。 通常，前烘温度低或时间短，会使胶有高的感光度， 也会提高溶解速率。但代价是对比度降低，即线条的边 缘平坦、不陡直。而高温前烘能使胶中的感光剂（ PAC ） 开始光化学反应，从而导致胶的未曝光区在显影液中也 会溶解。所以必须 严格控制前烘温度和时间 。 前烘工艺的目标是通过试验，确定在保持可接受的感光 度下，得到对比度优化的合适工艺条件。 通常，典型的前烘温度是 90-100 ° C ，时间 从用热板烘烤的 30 秒到用烘箱的 10-30 分。 前烘后在胶中留下的溶剂浓度只有初始浓度 的 5% 。 前烘 + 曝光后烘烤对对比度的影响 单喷静置显影 60s 双喷分显法 3.14 4.12 6 、曝光后烘（ PEB ） ? PEB 通常使用 110 到 130 ° C 的热板烘 1 分钟 ? 对于同一种类的光刻胶 , PEB 的温 度 通常 高于匀胶后烘（ 15-20 ° C ） . ? 不 充分的 PEB 不 能完全消除驻波的影响 , ? 过烘将引起聚合反应影响光刻胶的显影 硅片 冷 却 ? PEB 后，显影前，硅片放置在 冷 却板上 冷 却至环境温 度 ? 高温会加速化学反应引起过显影 ? 光刻胶 CD 变小 7 、 缺点： ? 显影液消耗很大；显影的均匀性差； ? 连续喷雾显影 / 自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显 影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（ 100 ～ 500rpm ）。 喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均 匀性的可重复性的关键调节参数。 整盒硅片浸没式显影 优点： ? 显影液用量少； ? 硅片显影均匀； ? 最小化了温度梯度。 第七章 光 刻 胶 第三篇 单项工艺 2 光刻胶也称为 光致抗蚀剂（ Photoresist ， P. R. ）。 主要内容 7.1 光刻胶类型； 7.2 DQN 正胶的典型反应； 7.3 对比度曲线； 7.4 临界调制函数 7.5 光刻胶的涂敷和显影； 7.6 二级曝光效应；