7第十章低压沉积金刚石薄膜.pptVIP

第十章 低压沉积金刚石薄膜 Eversole的专利描述了在13.33~ 133.32Pa(0.1~1.0mmHg柱）压力，600~ 16000C温度下在金刚石晶种上分解含碳气体沉积金刚石的方法，使用的气体优先选用甲基族，甲烷(CH4)和多种其它气体，包括CO-CO2混合气体。 60年代Angus等也进行了类似的工作，他们证实了Eversole 的观点，而且试着加入H2稀释。Poferl等还论证了气相沉积产物中可以加入硼(B）以生产出半导体材料。 Hibsman利用象铂(Pt)和镍(Ni)这类催化剂．在600~1100 0C，0.1~200MPa(1~2000atm)下在气体中加速了金刚石生长。据报导，氢有助于完成这一过程。vickery也使门铂(Pt)或钯(Pd)催化剂来加速金刚石薄膜的沉积(约6μm/h)，并导致更不稳定的碳与氢(H)反应，在循环中重新形成碳氢化合物，气体混合物是H2-5Vol％CH4。 1976年苏联的Deryagin等报导了在非金刚石基底上沉积出金刚石晶体，晶粒微米大小、经常是孪生、相对基底无择优取向，标志着气相沉积金刚石的新时代。之后，世界上许多国家都进行了大量研究工作，其惊人的进展是大大提高了金刚石的生长速率，同时减少了石墨的共沉积，这为工业化生产奠定了基础。 第二节 低压沉积金刚石的方法 到目前为止，人们已采用的低压沉积金刚石的方法可以分为以下几类： 1．离子束法，包括 (1)离子束溅射法(IBD)； (2)双离子束法(DIBS)； (3)离子镀法(ION~plated)。 2．热解化学气相沉积法．包括 (1)热丝法(HFCVD)； (2)激光诱导(laser ablation)CVD法（LCVD） (3)电子促进法(EACVD)； (4)火焰法((CFD)。 3．等离子体化学气相沉积法，包括 (1)微波等离子体法(MPCVD)； (2)射频等离子体法(RFPCVD)； (3)直流等离子体法(dc PCVD，dcpj CVD) ； (4)电弧放电等离子体法(ADPCVD，ADPJCVD)。 4. 化学传输反应法(CTR)。 上述各种方法使用的反应气体、温度、压力、基底材料、生长速度等列在表10-1之中。 在等离子体方法中还有反应脉冲等离子体法、磁微波等离子体法ECRCVD等。 现将几种主要沉积方法进行简单介绍如下。 一、离子束沉积法 图10-1为离子束溅射法设备示意图 该设备有两套碳(c)蒸发源及两种离子源，碳的蒸发是通过高能电子束的轰击完成的，两种离子源的能量有所不同，高能离子源的为5~40kev，低能离子源的为100~1000ev，低能离子源对膜的损坏小并可以得到晶态结构，因此，常用低能离子源。离子源所用气体为氖〔Ne)气、氩(Ar)气，加速电压为0.2~10kev，沉积速率保持在0.13nm/s，离子与碳之比在5.0％~70％之间，基底为单晶硅si(100)，基底温度通过水冷保持在100℃以下。 结果表明：当用500eVAr离子强化时，在1550cm-1~及1340cm-1附近有两个宽峰，表明为无定形碳相．对金刚石相的生长来说，低能离子束比高能离子束更为有效，但氩离子还不足以使之晶化。用氖作离子源，当加速电压为2000v、Ne/c比为25％时，制备的薄膜Raman谱表明，在1333cm-1 处有一清晰的金刚石峰。另外还有一种单离子束法。 Spencer等利用从惰性气体的电弧中提取的一束碳离了在多种基体上进行沉积，通过对游离碳膜的TEM观察，与5 μm金刚石晶体的TEM花样相符。 利用质量分离的(Mass-separated)碳离于束沉积碳膜，其密度、折射率及其它性能都接近于金刚石，这些膜通过衍射分析可知是无定形的，而且它们基木上能以100%四面体结合，中性碳原子和电子的消除可以防止石墨形成。 Savvides利用直流磁控溅射制备了纯的碳膜，所制备的a-c膜是混合相，但表明了某些金刚石的性能。 离子束沉积金刚石或类金刚石薄膜是一种物理气相沉积(PVD)方法， 一般它包括碳源蒸发沉积及离子束轰击过程，碳源的蒸发可以通过离子束、电子束、电弧放电或利用含碳气体等方法来实现，蒸发的碳源沉积到基体上，使用离子束进行轰击，所用的离子源包括氩、氖、氮、氢等气体，对基体的要求不很严。