选修三-物质结构和性质带答案.pdfVIP

1.已知A. B. C. D. E 都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电 荷数 ABCDE .其中 B. D. E 原子最外层电子层的 P 能级(轨道)上 的电子处于半充满状态。通常情况下,A 的一种氧化物分子为非极性分 子,其晶胞结构如右图所示。原子序数为 31 的元素镓(Ga)与元素 B 形 成的一种化合物是继以 C 单质为代表的第一类半导体材料和 GaE 为 代表的第二代半导体材料之后，在近 10 年迅速发展起来的第三代新 型半导体材料 试回答下列问题： (1)基态 Ga 原子的核外电子排布式为：__ _. (2)A、B. C 的第一电离能由大到小的顺序： (用元素符号 表示). (3)B 元素的单质分子中有___个 π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为 ___(任写一种). (4)上述 A 的氧化物分子中心原子采取__ _杂化，其晶胞中微粒 间的作用力为___. (5)EH3 分子的空间构型为___,其沸点与 BH3 相比___(填“高”或“低”)，原因 是___ (6)向CuSO4 溶液中逐滴加入 BH3 的水溶液，先生成蓝色沉淀，后沉淀逐渐溶解得 到深蓝色的透明溶液。请写出沉淀溶解的离子方程式___. 解答： A. B. C. D. E 都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电荷数ABCDE.其中 B. D. E 原子最外层电子层 P 能级(轨道)上的电子处于半充满状态,外围电子排布式 为 ns2np3,则 B 为 N 元素、D 为 P 元素、E 为 As;通常情况下,A 的一种氧化物分子 为非极性分子, 由其晶胞结构可知为CO2,A 为碳元素;原子序数为 31 的元素镓(Ga) 与元素 B 形成的一种化合物是继以 C 单质为代表的第一类半导体材料和 GaE 为 代表的第二代半导体材料之后，可推知 C 为 Si. (1)Ga 与Al 同主族相邻,Ga 原子核外电子数为 13+18=31,核外电子排布式为： 1s22s22p63s23p63d104s24p1,故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1 ； (2)同周期随原子序数增大，元素第一电离能呈增大趋势，但N 元素原子 2p 能级 为半满稳定状态，能量较低，第一电离能高于同周期相邻元素的，同主族自上而 下第一电离能增大，故第一电离能：NCSi ， 故答案为：NCSi ； (3)B 元素为 N2,结构式为 N≡N,分子中有 2 个π 键,与其互为等电子体的物质的化学 式可能为 CO 或 CN− ， 故答案为：2;CO 或 CN− ； (4)上述 A 的氧化物为 CO2 ，为直线形结构，分子中 C 原子采取 sp 杂化，属于分 子晶体，其晶胞中微粒间的作用力为分子间作用力， 故答案为：sp ；分子间作用力； (5)AsH3 分子与 NH3 分子构型相似,为三角锥形结构, 由于NH3 分子之间存在氢键, 故 AsH3 的沸点比 NH3 的低， 故答案为：三角锥形;低;NH3 分子之间存在氢键； (6) 向CuSO4 溶液中逐滴加入 NH3 的水溶液,先生成 Cu(OH)2 蓝色沉淀,后沉淀逐渐 溶解得到深蓝色的透明溶液,生成[Cu(NH3)4]2+,沉淀溶解的离子方程式： Cu(OH)2+4NH3⋅H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH−+4H2O， 故答案为：Cu(OH)2+4NH3⋅H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH−+4H2O. - + 2+ 2.氮元素可以形成多种分子和离子，如 NH3、N2H4、N3 、NH4 、N2H6 等． 回答以下问题： - （1）某元素原子与N3 含有相同的电子数，其基态原子的价电子排布式是______． （2）C、N、O 三种元素第一电离能从大到小的顺序是______． （3）肼（N2H4）分子可视为NH3 分子中的一个氢原子被一 NH2 （氨基）取代形成 的另一种氮的氢化物．NH3 分子的空间构型是______； N2H4 分子中氮原子轨道 杂化类型是______ （4）胼能与硫酸反应生成N2H6S04．N2H6S04 晶体类型与硫酸铵相同，则N2H6S04 的晶体内不存在