结晶过程原理 11 12 13 14 学时.pptVIP

2. 线缺陷 线缺陷是指二维尺度很小而另一维尺度很大的缺陷。 它包括各种类型的位错。所谓位错是指晶体中一部分晶 体相对另一部分晶体发生了一列或若干列原子有规律的 错排现象。最典型为刃型位错。 5 二维生长机理 3. 面缺陷 面缺陷是指二维尺度很大而另一尺度很小的缺陷。金属晶 体中的面缺陷主要有晶界和亚晶界。 晶粒与晶粒之间的接触界面称为晶界。如图（ a) 所示。亚 晶粒之间的交界称为亚晶界。如图 (b) 所示。 晶界、亚晶界处具有许多特殊性能。 5 二维生长机理 蒲永平编，《功能材料的缺陷化学》 或相关材料化学方面的书籍。 附加 —— 晶体缺陷 5 二维生长机理 ? 由 螺旋位错 而发生的晶体生长的 线生长速率 在较 高 的过饱和度下（过饱和度 ≥ 0.1% 或 S≥ 1.001 ） 5 二维生长机理 在较 低 的过饱和度下（过饱和度＜ 0.1% 或 S ＜ 1.001 ） ? 在式 4-3 和 4-4 中： 5 二维生长机理 ? 上述机理并不能涵盖所有可能机理，但总的来说给人感觉 晶体生长过程是非常复杂的 。 ? 晶体各个晶面的生长速率可能不同，一般讲晶体线生长速 率时所指为一平均值。上述公式中并未指出是哪个晶面的。 5 二维生长机理 ? 在 高过饱和度 下的可能机理：晶粒聚集成晶体 ? 最微小的晶粒结合成为特殊集聚体的机理 ? 与晶面与液相相互作用的机理存在原则上的不同 ? 与相的临界面比能与粒度有关 ? 应用 / 验证实例： 某些难溶盐类晶体结构数据所证实 5 二维生长机理 --- 其它 6 晶体生长速率 ? 广义定义： 单位时间内晶体粒度 / 质量的变化率 ? 表示方法： 1 各晶面生长线速度 2 晶体质量随时间的变化率 ? 2 晶体质量随时间的变化率（质量速率， ? ） 溶质粒子逐渐转移到固相，固相质量变化率，即宏 观上产品结晶的速率。 ? 1 各晶面生长线速度（线速率， ） 若指晶体体积增长，则以某一平均值表示，或表示 为各个晶面生长线速率的总和。 6 晶体 生长 速率 ? 晶体生长速率影响因素 无论是线速率，亦或是质量速率，都与溶液的过饱 和度 / 过冷度、温度、压力、液相的搅拌强度和特 性、各种场的作用、有无杂质存在等多种因素有关。 因此，晶体生长速率是多变量函数。但最 主要的因 素是过饱和度 / 过冷度。 6 晶体生长速率 ? 晶体生长速率与过饱和度 / 过冷度的关系表示有不 同形式： 1 由晶体的生长机理决定 2 由过饱和度决定 指由系统偏离平衡状态的程度来决定（以 △ C 、 ? 、 S 体现） 6 晶体生长速率 ? 晶体线生长速率与过饱和系数 S 的关系 ： 单核生长 多核生长 ? 对于位错生长理论 ? 对于复杂生长机理（下式为位错生长和单核生长机理的综合） （ A 、 B 为经验常数） 6 晶体生长速率 ? 晶体生长速率理解为晶体质量的增加，那么： 或 其中， k a =D/δ ； D- 直径， A- 面积， k i = 生长速率常数； m- 质量， C A - 面积为 A 时的浓度， △ C=C-C eq ， n=1 ， 2 。 综合起来： 当 k a 较大时： 以上第一和第二个公式可为下式所代替： 6 晶体生长速率 ? 另外，晶体生长 线速率 和 质量速率 ，可看作是 相 对过饱和度 的函数： 6 晶体生长速率 结晶过程原理 授课教师：崔香梅 1 二次成核的定义 2 二次成核机理 接触成核机理 不接触成核机理 3 成核速率的影响因素 REVIEW 第三章 晶体生长 3.2 晶体生长 3.2.1 晶体生长机理 3.2.2 晶体生长速率及其影响因素 3.2.3 过饱和度对晶体生长的影响 1 成核与晶体生长 定 义 形成过程 形成过程机理 晶核 ---- 在溶液所处的条件下溶质分 子形成的最微小尺寸的粒子 成 核 结晶成核动力学 晶体 ---- 溶液本体内溶质分子的不断 汇聚下，晶核长大成为晶体 晶体生长 结晶生长动力学 单晶生长 ： 可参阅陈小明著 《单晶结构分析 —— 理论与实践》 多个晶体共同生长 ： 2 晶体生长类别 3 溶液中晶体成批生长的特点 （ 1 ） 晶体生长可能在很宽的过饱和度范 围内进行 ，过饱和系数达 10 3 -10 4 。 晶面生长的线速度随过饱和度的增大而提高，快速成 长的晶体具有 晶体结构不规则 、具有 晶体缺陷 、 固相 含杂量大 等特点。 （ 2 ） 大量晶体的同时生长导致细小粒子的 生成，即生成的晶体粒度不大。 众多结晶中心争夺溶液本体内有限的溶质，使得每个 结晶中心长大为大晶体的可能性降低。 3 溶液中晶体成批生长的特点 （ 3 ） 一批离子的同时生长也可能导致晶粒 的互相碰撞，形成 晶面缺陷或造成晶体破碎