铸锭多晶硅和非晶硅薄片的概述及生产工艺.pdfVIP

一、多晶硅锭产业背景 太阳能 电池产业是近几年发展最快的产业之一，最近 5 年来以超 过 50%的速度高速增长。 在各种类型的太阳能电池中，晶体硅太阳电池由于其转换效率高， 技术成熟而继续保持领先地位，占据了 90%以上的份额，预计今后十 年内晶体硅仍将占主导地位。 太阳能 电池产业的飞速发展，带动硅锭/硅片的需求也大增,特别 是多晶硅硅锭的生产向大规模化发展，单厂生产能力已达到百兆瓦级。 虽然目前单晶硅的转换效率比多晶硅高，但两者的差距正逐渐缩 短，多晶硅具有制造成本较低与单位产出量较大的优势，故多晶硅芯 片在太阳能产业中未来仍将扮演主流角色。 二、多晶硅锭的组织结构 太阳能 电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上，是 通过定向凝固（也称可控凝固、约束凝固）过程来实现的，即 结晶过 程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流(生长方向与热流方向 相反），并要求液固界面处的温度梯度大于 0，横向则要求无温度梯度， 从而形成定向生长的柱状晶。 一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固 进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到 柱状。对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分 叉。而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低 的晶面会 先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表 面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向不如金属的直，且伴有分叉。 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 太阳能 电池硅锭的生长也是一个硅的提纯过程，是基于杂质的分 凝效应进行的。如下图所示，一杂质浓度为 C0 的组分，当温度下降至 ’’ T 时，其固液界面处固相侧的杂质浓度为 C* 。 S 对一个杂质浓度非常小的平衡固液相系统 ，在液固界面处固相 中的成分与在液相中的成分比值为一定，可表达为平衡分配系数 K=C* /C* 其中， C* 液固界面处液相侧溶质浓度 C* 液固界面处固 S L L S -4 -8 相侧溶质浓度 金属杂质在硅中平衡分配系数 10 —10 之间，B 为 0.8，P 为 0.35。 实际生产中固液界面还存在一个溶质富集层，杂质的分配系数还 与该富集层的厚度、杂质的扩散速度、硅液的对流强度及晶体生长速 度均有关，引入有效分配系数 K’来表示： K ’ =K/[K+(1-K)exp(-Rδ/D )] L 式中:K’ 有效分配系数, K 平衡分配系数, R 生长速度 cm/s, δ 溶 质 富 集 层 厚 度 （ 固 液 界 面 的 扩 散 层 ） cm （0.005-0.05）, 2 DL 扩散系数 cm /s 。 R 或 δ 趋近于 0，K’趋近于 K 时，最大程度提纯。 R 趋近于∞，K’趋近于 1 时，无提纯作用。 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： • 布里曼法 • 热交换法 • 电磁铸锭法 • 浇铸法 1、布里曼法（Bridgeman Method） 这是一种经典的较早的定向凝固方法。 特点： 坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相 区和凝固区用隔热板隔开。 液固