量子点掺杂Ga2O3忆阻器性能与物理机制研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 目前大数据时代已经来临，人们对移动电子器件便捷、高速、可携带的需求日益增 长，因此非易失性存储器已被越来越多的学者所关注。传统的非易失性存储器，在技术 和物理方面受到了一些限制和挑战，如：开关电压高、写入速度低、耐疲劳性差等问题。 为了解决上述问题，科学家将目光转向新原理的非易失性存储器，其中忆阻器因具有简 单的三明治结构，和开关速度快、存储密度大、功耗低等优点引起人们的广泛关注。然 而，忆阻器的发展也面临着一些障碍：首先，忆阻器的开关电压呈现出非常宽泛的分布， 影响了忆阻器在读写过程的实际应用，因此解决忆阻器开关电压弥散性问题变得尤为重 要。此外，忆阻器因电导连续可以实现神经仿生，减少忆阻器在学习过程的迭代次数以 及克服忆阻器在集成电路中寄生电流的问题也是当今亟待解决的热点。因此针对上述的 几方面问题，本文研究了采用不同量子点材料改善Ga O 薄膜忆阻器性能，并详细分析 2 3 了相应的物理机制，还研究了基于Ga O 薄膜的阈值开关器件，具体内容如下： 2 3 一、利用量子点增强局域电场效应，采用自组装PbS 量子点改善开关弥散性。通过 磁控溅射技术在Pt 衬底上，利用Ga O 薄膜和硫化铅量子点(PbS quantum dots, PbS QDs) 2 3 制备了三种结构的双极型忆阻器件，即：Ag/Ga O /Pt(I 器件) 、Ag/Ga O /PbS QDs(旋 2 3 2 3 涂)/Pt(II 器件)和Ag/Ga O /PbS QDs(滴涂)/Pt(III 器件) 。对比了三种器件的电学特性并分 2 3 析了器件的导电机制、研究了器件的神经仿生特性。通过对比得出在这三种类型的器件 6 中III 器件显示出最佳的电学性能：响应速度达到5.3 ns，高低阻比值10 ,开关次数达到 9 10 次，在实验的角度上有力的证明了引入量子点后对器件的优化作用。同时本文对这 种性能的上的增强做出了物理机制分析，利用PbS QDs 在器件中使得量子点周围局域电 场增强，引导导电细丝的生长方向。此外，可以通过改变脉冲参数来连续调谐 III 器件 的电导，从而为时间依赖可塑性 （STDP ）提供了重要的基础。 二、采用碳量子点的局域电场增强效应，改善器件的开关弥散性。制备 Pd/CQDs/Ga O /Pt （CMD ）和Pd/Ga O /Pt （PMD ）结构器件。对比发现，CMD 器件具 2 3 2 3 有分布更均匀的开关电压、更稳定的保持力、更低功耗。CMD 开关电压分布明显集中， 开关电压的变化（δ ）分别为1.76%和5% 。另外CMD 器件实现了重要的生物突触可塑 性，如神经短期增强（short-term potentiation ，STP ）到长期增强 （long-term plasticity， I 河北大学硕士学位论文 LTP ）的行为被成功模拟，长期抑郁（long-term depression ，LTD ）行为也被模拟。此外， 该忆阻器中成功地模拟了四种类型的STDP 学习规则，并且成功地演示了巴甫洛夫联想 学习和消亡行为。重要的是，该忆阻器的系统级模式识别能力是通过一个单层感知器模 型来评估的，在这个模型中，经过250 次的学习，数字的识别精度可以达到92.63% 。通 过对微观机制分析解释了CQDs 的低扩散速率使忆阻器性能稳定，对生物突触的Ca2+动 力学有很好的模拟作用。本文的研究结果