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一、填空题 1． 电介质的极化有两种，一是位移极化，二是取向极化。 2． 在硅基体中掺进了 3 价元素锑，则形成了 P 型半导体，其杂质能级叫 受主能级。 3． 频率为 的光子的能量 = hν，动量 p = hν/c ，静质量 m0 =0。 4． 在下列给出的条件中那些是产生激光的条件， 将其标号列出 （2）（3） （5）。 1）自发辐射（ 2）受激辐射（ 3）粒子数反转（ 4）两能级系统（ 5）谐振腔 5． 在太阳能电池中， 本征半导体锗的禁带宽度是 0.67eV，它能吸收的辐射的最大波长是 1.85 ×10-6m。 6． 放射性衰变的三种形式是 、 、 。 7． 光电效应中从铝中逸出一个电子最少需要 4.2eV 的能量，铝的红限波 长为 295.98 nm。 8． 在布喇菲晶体点阵分类中，三维晶格的布喇菲胞共有 14 种。 .9。氢原子中的电子处于量子数为 n=4， l=3 的量子态，则该电子角动量 L 的值为 12 。 1、爱因斯坦狭义相对论的两条基本原理是 1）狭义相对性原理：所有物理定律在一切惯性系中都具有形同的数 学表达形式； （2）光速不变原理：光在真空中的传播速率在一切惯性系中都具有相同的值。 1 mv 2 2 m 0 c 2 2、狭义相对论中动能不能用 2 表示，应是 E kmc 3、玻尔氢原子模型的三点假设是 : 定态假设 、频率条件、角动量量子化 假设。 4、一维无限深势阱模型的基本内容是阱壁势能无限大，阱内为零或 0 0 x a V x 0 x , x a 。（用文字表述、或用数学形式、或用图形表示均可） 。  x 2 n sin x 5 、已知粒子在一维无限深势阱中的波函数为 a a 0 x a x 1 a 处出现的概率密度为 , 则粒子的第一激发态在 6 3 2a 。 6 、在 NaCl 晶体中，每一个离子周围有 6 个最近邻异（同，异）性离子， 1 a 最近邻原子间距为 2 。（设 NaCl 晶体其立方边长为 a） 7 、固体中 3p 能带可容纳 6N个电子。（N 个原子组成的固体） 8 、本征半导体的本征载流子为电子、空穴对 , 在本征半导体中掺入 3 价 元素 , 可变为 P 型半导体 , 在 P 型半导体中，空穴是多子（多子，少子） 。 9 、电介质的极化有两种 , 一是无极分子的电子位移极化，二是有极分子的 取向极化 10、已知 22688 Ra 的 半 衰 期 为 1200 年，则衰变常量 为 1.831 10 11s 。 1 、普朗克量子假设的内容为 nh n 1,2,3 。 2、在某金属的光电效应实验中，测得如图 1 所示 曲线，则该金属的红限频 率 0=5 1014 Hz ，逸出功 A0=2.07eV eV. 3、频率为 的光子的静 止质量为 ，能量为 h hc 0 ，动量为 。 4、晶体中粒子结合力的形式有离子键、 共价键、金属键、范德瓦尔斯键。  5、在主量子数 n=4 的量子态中，角量子数 l 的可能取值有 0，1，2，3。 6、固体能带论中价带是指价电子分裂形成的能带。 7、自由粒子一维含时薛定谔方程的数学形式为： 2 2 i t 2 m x 2 8、N型半导体中的多子是电子，是由杂质产生的。 9、玻尔氢原子模型的三点假设是：定态假设、频率假设、角动量量子化 条件 10、电介质中无极分子的极化机理是：无极分子位移极化 x p x 2、不确定性关系的数学表达式是 2 . 3、波函数应满足的标准化条件有单值，有限，连续 . 4 、 一 维 力 场 中 定 态 薛 定 谔 方 程 的 形 式 是 d 2 2 m dx 2 V ( x ) E . E n me 4 1 0 h 2 n 2 5、氢原子中电子的能量量子化公式是 8 n 1,2,3 . 6、产生激光的两对基本矛盾是受激辐射与受激吸收的矛盾；受激辐射与自发辐射的矛盾 7、立方晶系包括简单立方；面心立方；体心立方． 8、内建电场的作用是阻碍多子的扩散，促进少子的漂移（阻碍或促进） ． 9、根据物质的磁性，可将物质分为抗磁性物质；顺磁性物质；铁磁性物质 10、用 粒子打击 49 Be 产生 126 C 并放出一个新粒子，写出核反应方程 24 He + 49 Be 126 C + 01 n .1。一静止长度为 l 0 的火箭（可看作 S’系）以恒定速度 u 相对参考系 S 运动，某时刻从火箭头部 A 发出一光信号。 (1)对火箭上的观察者，求光信号从火箭头部 A 到达火箭尾部 B 所需的时间？（ 2）对 S 系中的观察者，求光信号从火箭头部 A 到达火箭尾部 B 所需的时间？ l 0 解：（1） t c （ 2 ）按照洛仑兹正变换的形式： t (t u 2 x ) c ，将其中各量