工艺技术4扩散和热氧化.pptVIP

立式扩散炉 卧式炉与立式炉比较 性能 卧式炉 立式炉 装片自动化 困难 容易 气流均匀性 较差 好 舟旋转，膜均匀 不可能 能 颗粒控制 较差 好 硅片清洗 ? SC1+SC2 方案 H2O : H2O2 : NH4OH =1500 : 250 : 125 195sec DI water rinse H2O : H2O2 : HCl =1500 : 250 : 250 110sec: DI water rinse and dry ? SC3 方案 Put wafer in H2SO4 tank, then add 75ml H2O2 in this tank. 10min DI water rinse 10min and dry 炉中硅片放置 ? 用装片机将硅片装载到石英舟上 ? 必要时放置监控用陪片和 dummy wafer ------------------------- 6 5 4 3 2 1 工作区域 100pcs 炉口 炉尾 陪片 扩散炉中的硅片 扩散菜单 ? 深磷予淀积 ? 3.2 ± 0.3Ω/ □ 5‘ 10‘ 35‘ 10‘ 25‘ 10‘ 45‘ 10‘ N 2 6.7 L N 6.7 L O 0.8 L N 6.7L N 4L POCl3 soak 800 ° C 1010 ° C 800 ° C 扩散层的检测 ? 结深 滚槽法，磨角法，断面 SEM ? 薄层电阻 四探针法 , 范德堡（ Van der pauw ）法 ? 杂质分布 扩展电阻， SIMS, C-V, 卢瑟福背散射， 示踪原子 滚槽法测结深 p N+ Xj b a Xj=(R 2 -b 2 ) 1/2 - (R 2 -a 2 ) 1/2 磨角法测结深 p n 单色光 断面 SEM 法测结深 四探针法测薄层电阻 Ｉ V Rs=kV/I s P 范德堡法测薄层电阻 R=1/4[V 12 /I 34 +V 23 /I 41 +V 34 /I 12 +V 41 /I 23 ] Rs=( ? /ln2)FR 扩展电阻测杂质分布 扩展电阻测杂质分布 热氧化 SiO2 在 IC 中的作用 ? 作为杂质扩散或离子注入的掩蔽层 ? 表面钝化层 ? 器件隔离用的绝缘层 ? MOS 器件的组成部分－栅介质 ? 电容介质 ? 多层布线间的绝缘层 ? 热氧化是形成 SiO2 最重要方法 热氧化机理和规律 ? 氧化生长模型 ? 氧化实验规律 ? 晶体取向的影响 ? 杂质增强氧化 氧化生长模型 (Deal Grove) ? 气相－氧化物间 ? F1=h(C*-C o ) ? 氧化物内 ? F2=D(C o -C i )/x o ? 氧化物 - 硅间 ? F3=K S C i x o SiO 2 Si C O F1 F2 F3 C I C* 氧化生长模型 ? F1=F2=F3 ? C i =C*/(1+K S /h+ K s x o /D) ? C o =(1+ K s x o /D) C*/(1+K S /h+ K s x o /D) ? 二种情况 ? D 很小 C i ＿ 0 ＿ C o C* 扩散控制 ? D 很大 C i ＝ C o ＝ C*/(1+K S /h ）反应控制 氧化生长模型 ? R=F 3 /N 1 = K S C* /(1+K S /h+ K s x o /D) ? 初始条件 t=0 x o =x i ? x o 2 +A x o =B(t+ ? ) ? 2x o /A=[1+(t+ ? )/(A 2 /4B)] 1/2 -1 ? t ? x o 2 =Bt 抛物线生长规律（扩散控制） ? t+ ? ＜＜ A 2 /4B x o ＝ (B/A) (t+ ? ) 线性生长规律（反应速率控制） 线性速率常数 抛物线速率常数 干氧氧化 湿氧氧化 含氯氧化 ? 干氧