SiGe HBT热阻分析与建模研究.pdf

华东师范大学硕士论文 摘要 摘要 SiGe HBT 器件以其高增益、高频率、低相位噪声、优异的低温度特性以及 较高的发射极效率等优势在集成电路中扮演着重要的角色。热特性是检验半导体 器件性能的重要指标之一，因此热阻分析是SiGe HBT 器件研究过程中非常重要 的一个环节。为了缩短研发时间和降低研发成本，利用器件模型代替实物以提取 参数是一种非常有效的途径。 本文主要围绕SiGe HBT 的热阻分析和参数提取展开。首先，利用TCAD 仿 真软件，得到了SiGe HBT 器件的电流输出曲线。然后采用经典的热阻提取方法 计算出器件的热阻值并且讨论了器件的各项尺寸参数对热阻的影响。最后，本文 改进了带沟槽器件的热阻提取方法，提出了计算金属层热阻的简便算法。 本文主要研究工作包括：1）构建了HBT 的物理模型，并将其嵌入到TCAD 仿真软件中。2 ）利用三种经典的热阻提取算法，计算了SiGe HBT 器件的热阻 值。3 ）通过TCAD 仿真结果，研究了发射极宽度、发射极长度、发射极面积、 发射极与基极之间间距等各项器件尺寸对热阻的影响。4 ）提出了一种计算带沟 槽SiGe HBT 热阻的改进方法。这种方法非常简便，可以无需进行任何迭代的计 算出器件的金属层热阻。本文将该方法得到的计算结果与仿真结果、实验数据等 进行了对比，吻合较好。 关键词：SiGe HBT，TCAD ，热阻，尺寸参数，金属层热阻 I 华东师范大学硕士论文 Abstract Abstract SiGe HBT plays an important role in integrated circuits with its advantages of high gain, high frequency, low phase noise, excellent low temperature characteristics, and high emitter efficiency. Thermal resistance is one of the important indicators for testing the performance of semiconductor devices, so thermal resistance is a very important part in the research process of SiGe HBT devices. In order to shorten the R D(research and development) duration and cut the cost, replacing device with model to extract parameters is an effective way. This thesis focuses on the thermal resistance analysis and parameter extraction of SiGe HBT. Firstly, the current output curve of SiGe HBT is obtained by TCAD simulation software. Then the thermal resistance is calculated by classical extraction method, and the influence of device size on it is discussed. Finally, this thesis improves the method to estimate the thermal resistance for