氧化物半导体物理特性的掺杂调控及其薄膜晶体管应用.pdfVIP

华东师范大学硕士学位论文 摘要 透明导电氧化物半导体是一类既具有光学透明性又具备导电性的独特材料。 由于具有良好的场效应迁移率、高的光学透明性和良好的环境稳定性，人们对于 透明半导体材料的关注度越来越高。这类半导体材料可应用于下一代电子产品中， 包括高性能、柔性和透明的电子应用，对其的科学调研和市场需求日益增加。 与硅材料类似，根据导电类型，氧化物半导体可分为电子传输的n 型半导体 和空穴传输的p 型半导体。由于此类材料普遍具有分散化的导带底和局域化的价 带顶，所以n 型材料的电导率、迁移率等电学参数大大优于p 型材料。另一方面， 虽然n 型氧化物的电导率比较高，但过高的载流子浓度难以控制，导致其稳定性 有待提升。 氧化铜CuO 是为数不多的p 型氧化物半导体之一，相对于其他p 型氧化物 （如氧化亚铜Cu O、氧化镍NiO 、氧化亚锡SnO、铜铁矿系等等）来说，其化 2 学态更稳定，资源更丰富，可调的光学性质也为其拓展了研究空间。而氧化铟 In O 是典型的n 型氧化物半导体，广泛应用于光电显示产业的氧化铟锡（ITO ） 2 3 和氧化铟镓锌（IGZO ）均是基于In O 制备而成，其优异的电学性能、高透明度 2 3 和简易的制备工艺使其一直处于研究热潮中。 在众多的薄膜工艺方法中，溶液法因其低廉的成本和简易的操作颇受人们青 睐，除此之外，溶液法在大面积制造和控制化学计量比方面也具有独特的优势。 虽然具备这些优点，然而，在高迁移率、低阈值电压、陡亚阈值摆幅、电均匀性 和高开关比的情况下，对溶液处理的氧化物晶体管的性能进行优化并不容易。特 别是，在工艺简单化的情况下，当晶体管具备高迁移率时，通常展现出低开关比 和大亚阈值摆幅。此外，这些器件显示出大的负阈值电压，限制了它们的低功耗 性能，不利于有源矩阵驱动应用。简言之，要想在解决氧化物晶体管问题的过程 中获得高性能的溶液法制备的器件，必须克服许多问题。而大量文献表明，掺杂 是改善氧化物半导体薄膜的一种有效途径。通过改变掺杂元素和掺杂浓度，主体 材料的结晶质量、表面形貌、电子与能带结构等均能得到调控，进而其电学性能 I 华东师范大学硕士学位论文 如电导率、本征载流子浓度等，亦可得到改善优化。 本文通过掺杂的方法来优化氧化物半导体的光学和电学特性，采用溶液法制 备了镍Ni 掺杂的氧化铜CuO 和铪Hf 掺杂的氧化铟In O 及其各自的晶体管。本 2 3 文的主要内容和创新点如下： (1). 采用第一性原理计算，理论分析了CuO 和掺杂50% Ni 的CuO 的能带结构。 实验上制备了 Ni 掺杂浓度分别为 0%、10%、20%、30%、50%的 CuO 薄膜 （Cu1- Ni O，x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 和0.5 ），通过椭偏光谱测试，提取Cu1- Ni O 薄 x x x x 膜的折射率和消光系数，分析不同掺杂浓度对Cu1- Ni O 的吸收系数和光电导的 x x 影响。理论计算结合实验数据分析，系统深入地研究了 Ni 掺杂浓度对 CuO 的 电子结构和光学特性的影响。 基于密度泛函理论的计算发现，在CuO 薄膜的导带底和价带顶附近，O 2p 和Cu 3d 轨道存在很强的杂化现象。在掺杂50%的CuO 中观察到价带顶的O 2p 态局域性减弱，可推断出Ni 掺杂可增强载流子的迁移率。为了验证以上的理论 结果，本文对溶液法制备的掺杂0 ~ 50% Ni 离子的CuO 薄膜的椭圆光谱进行了 拟合，并提取了光学常数。结果表明，电导率随掺杂浓度的增加而线性增加，这 是电子陷阱减少的结果。在~ 2.75 、3.27、4.01 和4.90 eV 处观察