半导体器件物理Chapter4集成电路制造工艺[精品].pptxVIP

第四章集成电路制造工艺;;芯片制造过程;图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 ;硅片准备;光刻 （Lithography）;光刻工艺流程;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某???特定溶液中的溶解特性改变。 正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶（曝光后不可溶） ：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 ;插图fig.4.6;亮场版和暗场版;曝光的几种方法;图4.7;图形转移：刻蚀技术;干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为