薄膜气相淀积工艺参考文档.pptVIP

31 典型物质淀积简介 ? SiO 2 生长： ? 低温 CVD 氧化层：低于 500 ℃ ? 中等温度淀积： 500 ～ 800 ℃ ? 高温淀积： 900 ℃左右 一、二氧化硅（ SiO 2 ）薄膜 32 1.SiO 2 的用途 非掺杂 SiO 2 : 用于离子注入或扩散的掩蔽膜， ? 多层金属化层之间的绝缘，场区氧化层 ? 掺杂 SiO 2 : 用于器件钝化，磷硅玻璃回流， ? 将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源 33 2. 淀积 SiO 2 的方法 : ? 硅烷法和 TEOS 法 ? A. 硅烷和氧反应 ? 低压化学气相淀积 (LPCVD) ：＜500℃ ? S i H 4 +O 2 SiO 2 +2H 2 4PH 3 +5O 2 2P 2 O 5 +6H 2 （钝化层 sio2 ） 400 ℃ 400 ℃ 34 ? TEOS 是 正硅酸乙脂 。分子式为 Si(C 2 H 5 O) 4 ，室 温下是一种 液体。 可以直接分解生成 SiO2 层。 650 ～ ?50 Si(OC2H5)4 SiO2 +4C 2 H 4 +2H2 用 TEOS 分解法具有 温度低，均匀性好，台阶覆盖优良、 膜质量好 等优点 另一种是通过 TEOS 与 O2/O3 反应，来得到 SiO2 。 Si(OC2 H5)4+O2 → SiO2 + 副产物， 产物平整度很好 ， 但反应 温度 一般 大于