霍尔效应测磁场试验报告.docVIP

. 实 验 报 告 学生姓名： 学 号： 指导教师： 实验地点： 实验时间： 一、实验室名称： 实验室霍尔效应二、 实验项目名称： 霍尔效应法测磁场三、实验学时： 四、实验原理： （一）霍耳效应现象 将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为B的磁场中，并让薄片平面与磁I的电流，那么在方向）加一电流强度为Y方向）垂直。如在薄片的横向（X场方向（如HU。 与磁场方向和电流方向垂直的Z方向将产生一电动势HUU与所示，这种现象称为霍耳效应，称为霍耳电压。霍耳发现，霍耳电压如图1HHI和磁感应强度B成正比，与磁场方向薄片的厚度d电流强度反比，即 HIBHR?U（1） Hd 式中，比例系数R称为霍耳系数，对同一材料R为一常数。因成品霍耳元件（根据霍耳效R/d常用另一常数K来表示，有 应制成的器件）的d也是一常数，故U?KIB（2） HH式中，K称为霍耳元件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍耳元件的灵敏度K知道（一般由实验室给出），再测出IU，就可根据式电流 和霍耳电压HHUH?B（3） KI H 算出磁感应强度B。1 / 6 . 霍耳效应解释 图2 图1 霍耳效应示意图 （二）霍耳效应的解释 现研究一个长度为l、宽度为b、厚度为d的N型半导体制成的霍耳元件。当沿X方向I后，载流子（对N型半导体是电子）e将以平均速度通以电流v沿与电流方向相反的方H向运动，在磁感应强度为B的磁场中，电子将受到洛仑兹力的作用，其大小为 f?evB BfE（见图方向的两端面堆积形成电场的作用下，电荷将在元件沿Z方向沿Z方向。在HBf，其大小为 ），它会对载流子产生一静电力2Ef?eE HEfff达到静态平衡后，有相反，即它是阻止电荷继续堆积的。当方向与洛仑兹力和EBBf?fevB?eE?eU/b，于是电荷堆积的两端面（，即Z方向）的电势差为 HHEBU?vbB（4） HI可表示为 通过的电流HI??nevbd H式中n是电子浓度，得 IH?v?（5） nebd 将式（54）可得）代人式（IBH?U? Hned 可改写为IBH?KIR?UB HHd2 / 6 . 1??R就是霍耳系数。 该式与式（1）和式（2）一致， ne五、实验目的： 研究通电螺线管内部磁场强度 六、实验内容： （一）测量通电螺线管轴线上的磁场强度的分布情况，并与理论值相比较； （二）研究通电螺线管内部磁场强度与励磁电流的关系。 七、实验器材： 霍耳效应测磁场装置，含集成霍耳器件、螺线管、稳压电源、数字毫伏表、直流毫安表等。 八、实验步骤及操作： II都固定，并让（一）研究通电螺线管轴线上的磁场分布。要求工作电流和励磁电流HNUI500I?和K，记下mA，逐点（约12-15个点）测试霍耳电压的值，同时记录长HHM直螺线管的长度和匝数等参数。 1．接线：霍尔传感器的1、3脚为工作电流输入，分别接“I输出”的正、负端； 2、H4脚为霍尔电压输出，分别接“V输入”的正、负端。螺线管左右接线柱（即“红”、“黑”）H分别接励磁电流I的“正”、“负”，这时磁场方向为左边N右边S。 M2、测量时应将“输入选择”开关置于“V”挡，将“电压表量程”选择按键开关置于H“200” mV挡，霍尔工作电流I调到5.00mA，霍尔传感器的灵敏度为：245mV/mA/T。 H3、螺线管励磁电流I调到“0A”，记下毫伏表的读数（此时励磁电流为0，霍尔工VM0作电流仍保持不变）。 IH4、再调输出电压调节钮使励磁电流为。 mA500I?M5、将霍耳元件在螺管线轴线方向左右调节，读出霍耳元件在不同的位置时对应的毫伏表读数，对应的霍耳电压。霍尔传感器标尺杆坐标x=0.0mm对准读数环时，VVV?V?0iiHi表示霍尔传感器正好位于螺线管最左端，测量时在0.0mm左右应对称地多测几个数据，推荐的测量点为x=-30.0、-